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AT27C256R-70TC

更新时间： 2024-01-20 22:43:48

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爱特美尔 - ATMEL		可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
9页	254K
描述
256K 32K x 8 OTP CMOS EPROM

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AT27C256R-70TC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.57
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e3
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
编程电压：	13 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

AT27C256R-70TC 数据手册

Programming Waveforms ⁽¹⁾

Notes: 1. The Input Timing Reference is 0.8V for V_ILand

2.0V for V_IH.

3. When programming the AT27C256R a 0.1 µF capacitor is

required across V_PPand ground to suppress spurious voltage

transients.

2. t_OEand t_DFPare characteristics of the device but

must be accommodated by the programmer.

DC Programming Characteristics

T_A= 25 ± 5°C, V_CC= 6.5 ± 0.25V, V_PP= 13.0 ± 0.25V

Test

Limits

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Units

µA

Max

Input Load Current

Input Low Level

Input High Level

Output Low Volt.

Output High Volt.

V_IN= V_IL,V_IH

±10

-0.6

2.0

0.8

V_CC+ 1

0.4

I_OL= 2.1 mA

I_OH= -400 µA

2.4

V_CCSupply Current

(Program and Verify)

CC2

PP2

V_PPCurrent

CE = V_IL

A9 Product Identification Voltage

11.5

12.5

3-130

AT27C256R

1...3 4 567 8 9

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