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AT27C020-55TJ

更新时间: 2024-01-11 03:38:20
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP OTP只读存储器ATM异步传输模式光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 359K
描述
OTP ROM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32

AT27C020-55TJ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1,针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.64
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e3长度:18.4 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:32
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:8 mm

AT27C020-55TJ 数据手册

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AT27C020  
14. Programming Waveforms (1)  
Notes: 1. The Input Timing reference is 0.8V for VIL and 2.0V for VIH.  
2. tOE and tDFP are characteristics of the device but must be accommodated by the programmer.  
3. When programming the AT27C020, a 0.1 µF capacitor is required across VPP and ground to suppress voltage transients.  
7
0570G–EPROM–12/07  

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