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Datasheet > 存储 > OTP ROM> AT27BV800-12TI
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AT27BV800-12TI

更新时间： 2024-02-13 10:52:13
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
11页 264K
描述
8-Megabit 512K x 16 or 1024K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP EPROM

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AT27BV800-12TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.31最长访问时间：120 ns
其他特性：CAN ALSO BE OPERATED AT 4.5V TO 5.5V RANGE备用内存宽度：8
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：12 mmBase Number Matches：1

AT27BV800-12TI 数据手册

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DC and AC Operating Conditions for Read Operation  
AT27BV800  
-12  
-15  
Com.  
Ind.  
0°C - 70°C  
-40°C - 85°C  
2.7V to 3.6V  
5V ± 10%  
0°C - 70°C  
-40°C - 85°C  
2.7V to 3.6V  
5V ± 10%  
Operating Temperature (Case)  
VCC Power Supply  
= Preliminary  
DC and Operating Characteristics for Read Operation  
Symbol  
Parameter  
Condition  
Min  
Max  
Units  
VCC = 2.7V to 3.6V  
ILI  
Input Load Current  
VIN = 0V to VCC  
±1  
±5  
µA  
µA  
µA  
µA  
mA  
mA  
V
ILO  
Output Leakage Current  
VOUT = 0V to VCC  
VPP = VCC  
(2)  
IPP1  
VPP(1) Read/Standby Current  
10  
ISB1 (CMOS), CE = VCC ± 0.3V  
20  
ISB  
ICC  
VIL  
VCC(1) Standby Current  
VCC Active Current  
Input Low Voltage  
ISB2 (TTL), CE = 2.0 to VCC + 0.5V  
100  
f = 5MHz, IOUT = 0 mA, CE = VIL, VCC = 3.6V  
VCC = 3.0 to 3.6V  
10  
-0.6  
-0.6  
0.8  
V
CC = 2.7 to 3.6V  
VCC = 3.0 to 3.6V  
CC = 2.7 to 3.6V  
IOL = 2.0 mA  
0.2 x VCC  
VCC + 0.5  
VCC + 0.5  
0.4  
V
2.0  
V
VIH  
Input High Voltage  
Output Low Voltage  
V
0.7 x VCC  
V
V
VOL  
I
OL = 100 µA  
OL = 20 µA  
0.2  
V
I
0.1  
V
IOH = -2.0 mA  
2.4  
V
VOH  
Output High Voltage  
I
OH = -100 µA  
OH = -20 µA  
VCC - 0.2  
VCC - 0.1  
V
I
V
VCC = 4.5V to 5.5V  
ILI  
Input Load Current  
VIN = 0V to VCC  
±1.0  
±5.0  
10  
µA  
µA  
µA  
µA  
mA  
mA  
V
ILO  
Output Leakage Current  
VOUT = 0V to VCC  
VPP = VCC  
(2)  
IPP1  
VPP(1) Read/Standby Current  
ISB1 (CMOS), CE = VCC ± 0.3V  
100  
1
ISB  
VCC(1) Standby Current  
ISB2 (TTL), CE = 2.0 to VCC + 0.5V  
ICC  
VIL  
VIH  
VOL  
VCC Active Current  
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
f = 5MHz, IOUT = 0 mA, CE = VIL  
40  
-0.6  
2.0  
0.8  
VCC + 0.5  
0.4  
V
IOH = -2.1 mA  
V
VOH  
IOH = -400 µA  
2.4  
V
Notes: 1. VCC must be applied simultaneously or before VPP, and removed simultaneously or after VPP  
.
2. VPP may be connected directly to VCC except during programming. The supply current would then be the sum of ICC and IPP.  
AT27BV800  
4
1234567...11

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