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Datasheet > 存储 > OTP ROM> AT27BV4096-15JCT/R
AT27BV4096-15JCT/R PDF预览

AT27BV4096-15JCT/R

更新时间： 2024-01-15 05:39:46
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
9页 227K
描述
OTP ROM, 256KX16, 150ns, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44

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AT27BV4096-15JCT/R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP40,.56,20
针数：40Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.84最长访问时间：150 ns
其他特性：CAN ALSO OPERATE WITH 5V SUPPLYI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：12.4 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：40
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP40,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00002 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10 mm
Base Number Matches：1

AT27BV4096-15JCT/R 数据手册

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DC and AC Operating Conditions for Read Operation  
AT27BV4096  
-12  
-15  
Com.  
Ind.  
0°C - 70°C  
-40°C - 85°C  
2.7V - 3.6V  
5V ± 10%  
0°C - 70°C  
-40°C - 85°C  
2.7V - 3.6V  
5V ± 10%  
Operating  
Temperature (Case)  
V
Power Supply  
CC  
= Preliminary Information  
DC and Operating Characteristics for Read Operation  
Symbol Parameter  
Condition  
Min  
Max  
Units  
VCC = 2.7V to 3.6V  
I
I
I
Input Load Current  
V
V
V
= 0V to V  
CC  
±1  
±5  
10  
20  
µA  
µA  
µA  
µA  
LI  
IN  
Output Leakage Current  
= 0V to V  
CC  
LO  
PP1  
OUT  
(2)  
(1)  
V
Read/Standby Current  
= V  
CC  
PP  
PP  
SB1  
SB2  
I
I
(CMOS), CE = V ± 0.3V  
CC  
(1)  
I
V
Standby Current  
SB  
CC  
CC  
100  
8
µA  
mA  
V
(TTL), CE = 2.0 to V + 0.5V  
CC  
I
V
Active Current  
f = 5 MHz, I  
= 0 mA, CE = V , V = 3.6V  
IL CC  
CC  
OUT  
V
V
V
V
= 3.0 to 3.6V  
= 2.7 to 3.6V  
= 3.0 to 3.6V  
= 2.7 to 3.6V  
-0.6  
-0.6  
0.8  
CC  
CC  
CC  
CC  
V
V
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
IL  
0.2 x V  
V
CC  
2.0  
V
+ 0.5  
+ 0.5  
V
CC  
CC  
IH  
0.7 x V  
V
V
CC  
I
I
I
I
I
I
= 2.0 mA  
= 100 µA  
= 20 µA  
0.4  
V
OL  
OL  
OL  
OH  
OH  
OH  
V
V
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
OL  
0.2  
0.1  
V
V
= -2.0 mA  
= -100 µA  
= -20 µA  
2.4  
V
OH  
V
V
- 0.2  
- 0.1  
V
CC  
V
CC  
VCC = 4.5V to 5.5V  
I
I
I
Input Load Current  
V
V
V
= 0V to V  
CC  
±1  
±5  
10  
100  
1
µA  
µA  
µA  
µA  
mA  
mA  
V
LI  
IN  
Output Leakage Current  
= 0V to V  
CC  
LO  
PP1  
OUT  
(2)  
(1)  
V
Read/Standby Current  
= V  
CC  
PP  
PP  
SB1  
SB2  
I
I
(CMOS), CE = V ± 0.3V  
CC  
(1)  
I
SB  
V
Standby Current  
CC  
(TTL), CE = 2.0 to V + 0.5V  
CC  
I
V
Active Current  
f = 5 MHz, I  
= 0 mA, CE = V  
IL  
40  
0.8  
CC  
CC  
OUT  
V
V
V
V
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
-0.6  
IL  
2.0  
V
+ 0.5  
V
IH  
CC  
I
OL  
= 2.1 mA  
0.4  
V
OL  
OH  
I
= -400 µA  
2.4  
V
OH  
Notes: 1. VCC must be applied simultaneously with or before  
PP, and removed simultaneously with or after  
VPP  
2. VPP may be connected directly to VCC, except during pro-  
gramming. The supply current would then be the sum of ICC  
V
.
and IPP.  
3-66  
AT27BV4096  
1234567...9

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