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Datasheet > 存储 > OTP ROM> AT27BV4096-12JI
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AT27BV4096-12JI

更新时间： 2024-02-18 07:35:28
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
9页 227K
描述
4 Megabit 256K x 16 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM

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AT27BV4096-12JI 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1,针数：40
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.54
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
其他特性：CAN ALSO OPERATE WITH 5V SUPPLYJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e3长度：12.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：40字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：10 mm
Base Number Matches：1

AT27BV4096-12JI 数据手册

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DC and AC Operating Conditions for Read Operation  
AT27BV4096  
-12  
-15  
Com.  
Ind.  
0°C - 70°C  
-40°C - 85°C  
2.7V - 3.6V  
5V ± 10%  
0°C - 70°C  
-40°C - 85°C  
2.7V - 3.6V  
5V ± 10%  
Operating  
Temperature (Case)  
V
Power Supply  
CC  
= Preliminary Information  
DC and Operating Characteristics for Read Operation  
Symbol Parameter  
Condition  
Min  
Max  
Units  
VCC = 2.7V to 3.6V  
I
I
I
Input Load Current  
V
V
V
= 0V to V  
CC  
±1  
±5  
10  
20  
µA  
µA  
µA  
µA  
LI  
IN  
Output Leakage Current  
= 0V to V  
CC  
LO  
PP1  
OUT  
(2)  
(1)  
V
Read/Standby Current  
= V  
CC  
PP  
PP  
SB1  
SB2  
I
I
(CMOS), CE = V ± 0.3V  
CC  
(1)  
I
V
Standby Current  
SB  
CC  
CC  
100  
8
µA  
mA  
V
(TTL), CE = 2.0 to V + 0.5V  
CC  
I
V
Active Current  
f = 5 MHz, I  
= 0 mA, CE = V , V = 3.6V  
IL CC  
CC  
OUT  
V
V
V
V
= 3.0 to 3.6V  
= 2.7 to 3.6V  
= 3.0 to 3.6V  
= 2.7 to 3.6V  
-0.6  
-0.6  
0.8  
CC  
CC  
CC  
CC  
V
V
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
IL  
0.2 x V  
V
CC  
2.0  
V
+ 0.5  
+ 0.5  
V
CC  
CC  
IH  
0.7 x V  
V
V
CC  
I
I
I
I
I
I
= 2.0 mA  
= 100 µA  
= 20 µA  
0.4  
V
OL  
OL  
OL  
OH  
OH  
OH  
V
V
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
OL  
0.2  
0.1  
V
V
= -2.0 mA  
= -100 µA  
= -20 µA  
2.4  
V
OH  
V
V
- 0.2  
- 0.1  
V
CC  
V
CC  
VCC = 4.5V to 5.5V  
I
I
I
Input Load Current  
V
V
V
= 0V to V  
CC  
±1  
±5  
10  
100  
1
µA  
µA  
µA  
µA  
mA  
mA  
V
LI  
IN  
Output Leakage Current  
= 0V to V  
CC  
LO  
PP1  
OUT  
(2)  
(1)  
V
Read/Standby Current  
= V  
CC  
PP  
PP  
SB1  
SB2  
I
I
(CMOS), CE = V ± 0.3V  
CC  
(1)  
I
SB  
V
Standby Current  
CC  
(TTL), CE = 2.0 to V + 0.5V  
CC  
I
V
Active Current  
f = 5 MHz, I  
= 0 mA, CE = V  
IL  
40  
0.8  
CC  
CC  
OUT  
V
V
V
V
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
-0.6  
IL  
2.0  
V
+ 0.5  
V
IH  
CC  
I
OL  
= 2.1 mA  
0.4  
V
OL  
OH  
I
= -400 µA  
2.4  
V
OH  
Notes: 1. VCC must be applied simultaneously with or before  
PP, and removed simultaneously with or after  
VPP  
2. VPP may be connected directly to VCC, except during pro-  
gramming. The supply current would then be the sum of ICC  
V
.
and IPP.  
3-66  
AT27BV4096  
1234567...9

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