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AT27BV256-70JU-T

更新时间： 2024-02-07 08:17:00

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美国微芯 - MICROCHIP		OTP只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	768K
描述
IC OTP 256KBIT 70NS 32PLCC

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AT27BV256-70JU-T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	LCC-32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	0.99
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
座面最大高度：	3.556 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	11.43 mm

AT27BV256-70JU-T 数据手册

Atmel AT27BV256

Table 5-4.

AC characteristics for read operation

V_CC= 2.7V to 3.6V and 4.5V to 5.5V

Atmel AT27BV256-70

Symbol

Parameter

Condition

CE = OE = V_IL

OE = V_IL

Min

Max

Units

(3)

t_ACC

Address to output delay

CE to output delay

OE to output delay

(2)

t_CE

(2)(3)

t_OE

CE = V_IL

OE or CE High to output float,

whichever occurred first

(4)(5)

t_DF

Output hold from address, CE or OE,

whichever occurred first

t_OH

Figure 5-1.

AC waveforms for read operation⁽¹⁾

Notes: 1. Timing measurement references are 0.8V and 2.0V. Input AC drive levels are 0.45V and 2.4V, unless otherwise specified.

2. OE may be delayed up to t_CE- t_OEafter the falling edge of CE without impact on t_CE.

3. OE may be delayed up to t_ACC- t_OEafter the address is valid without impact on t_ACC

4. This parameter is only sampled, and is not 100% tested.

5. Output float is defined as the point when data is no longer driven.

6. When reading an Atmel AT27BV256, a 0.1µF capacitor is required across V_CCand ground to suppress spurious voltage

transients.

Figure 5-2.

Input test waveform and measurement level

t_R, t_F< 20ns (10% to 90%)

0601F–EPROM–4/11

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