AT27BV020-90CI

更新时间： 2024-02-15 04:16:59

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爱特美尔 - ATMEL		电池可编程只读存储器电动程控只读存储器
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描述
2-Megabit 256K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP EPROM

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AT27BV020-90CI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSSOP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.83
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e3
长度：	12.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm

AT27BV020-90CI 数据手册

AT27BV020

Programming Waveforms⁽¹⁾

Notes: 1. The Input Timing Reference is 0.8V for V_ILand 2.0V for V_IH.

2. t_OEand t_DFPare characteristics of the device but must be accommodated by the programmer.

3. When programming the AT27BV020 a 0.1 µF capacitor is required across V_PPand ground to suppress spurious voltage

transients.

DC Programming Characteristics

T_A= 25 ± 5°C, V_CC= 6.5 ± 0.25V, V_PP= 13.0 ± 0.25V

Limits

Symbol

I_LI

Parameter

Test Conditions

Min

Max

±10

Units

µA

Input Load Current

Input Low Level

Input High Level

Output Low Voltage

Output High Voltage

V_IN= V_IL,V_IH

V_IL

-0.6

2.0

0.8

V_IH

V_CC+ 0.5

0.4

V_OL

V_OH

I_OL= 2.1 mA

I_OH= -400 µA

2.4

V_CCSupply Current

(Program and Verify)

I_CC2

I_PP2

V_ID

V_PPSupply Current

CE = PGM = V_IL

A9 Product

11.5

12.5

Identification Voltage

1...4 5 678 9 10

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