ASSR-4128-002E

更新时间： 2024-02-28 06:35:01

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安华高科 - AVAGO		光电继电器固态继电器输出元件
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11页	160K
描述
Form A, Solid State Relay (Photo MOSFET) (400V/0.10A/35Ohm)

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ASSR-4128-002E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.40.80.00
风险等级：	1.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED, CMOS COMPATIBLE	配置：	COMPLEX
控制电流：	0.003 A	控制电压：	1.1 V
最大正向电流：	0.02 A	输入类型：	DC
最大绝缘电压：	3750 V	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	最大通态电流：	0.1 A
最大通态电阻：	35 Ω	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT SSR
输出电路类型：	MOSFET	总高度：	7.6 mm
总长度：	9.9 mm	子类别：	Solid State Relays
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

ASSR-4128-002E 数据手册

Regulatory Information

The ASSR-4118, ASSR-4119 and ASSR-4128 are approved by the following organizations:

Approved under UL 1577, component recognition program up to V = 3750 V

ISO

RMS

CSA

Approved under CSA Component Acceptance Notice #5.

Insulation and Safety Related Speciﬁcations

ASSR-4119

Symbol ASSR-4118 ASSR-4128

Parameter

Units Conditions

Minimum External Air Gap

(Clearance)

L(101)

4.9

7.1

7.4

Measured from input terminals to output

terminals, shortest distance through air.

Minimum External Tracking

(Creepage)

L(102)

4.9

Measured from input terminals to output

terminals, shortest distance path along

body.

Minimum Internal Plastic Gap

(Internal Clearance)

0.08

Through insulation distance conductor to

conductor, usually the straight line distance

thickness between the emitter and detector.

Tracking Resistance

(Comparative Tracking Index)

CTI

175

IIIa

175

IIIa

DIN IEC 112/VDE 0303 Part 1

Isolation Group

(DIN VDE0109)

Material Group (DIN VDE 0109)

1...4 5 678 9 10 11

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