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ASM3I2111BG-08SR

更新时间： 2024-01-26 08:28:52

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PULSECORE		晶体时钟发生器微控制器和处理器外围集成电路光电二极管
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8页	174K
描述
Peak EMI Reducing Solution

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ASM3I2111BG-08SR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	GREEN, SOIC-8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.9 mm
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出时钟频率：	66.6 MHz
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	主时钟/晶体标称频率：	25 MHz
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大供电电压：	3.6 V	最小供电电压：	3 V
标称供电电压：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.91 mm	uPs/uCs/外围集成电路类型：	CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches：	1

ASM3I2111BG-08SR 数据手册

February 2007

rev 0.2

ASM3P2111B

DC Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

Conditions / Description

Min

Typ

Max

Unit

Overall

Supply Current,

Dynamic

Supply Current,

Static

I_DD

V_DD=3.3V, F_CLK=25MHz, C_L=15pF

V_DD= 3.3V, Clock Input = 0

I_DDL

All input pins

High-Level Input

Voltage

Low-Level Input

Voltage

V_IH

V_IL

I_IH

V_DD=3.3V

2.0

V_DD+0.3

V_SS-0.3

0.8

High-Level Input

Current

µ A

-1

-20

Low-Level Input

Current (pull-up)

High-Level Output

Source Current

Low-Level Output

Sink Current

µ A

I_IL

-36

-80

I_xOH

I_xOL

V_DD=V (XIN) = 3.3V, V_O=0.4V

V_DD=3.3V, V (XIN)=V_O=2.5V

Clock Outputs

High-Level Output

Source Current

Low-Level Output

Sink Current

I_OH

I_OL

V_O=2.5V

V_O=0.4V

-20

Ω

Z_OH

Z_OL

V_O=0.5 V_DD; output driving high

Vo=0.5 V_DD; output driving low

Output Impedance

AC Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

Conditions/ Description

V_O= 0.8V to 2.0V;

C_L= 15pF

Min

Typ

Max

Unit

Rise Time

t_r

300

800

900

V_O= 2.0V to 0.8V;

C_L= 15pF

Ratio of pulse width (as measured from

rising edge to next falling edge at V_DD/2) to

one clock period

Fall Time

t_f

360

800

900

Clock Duty

Cycle

* C_L= 15 pF, Input clock frequency = 25MHz

Peak Reducing EMI Solution

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