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ASDL-3212-021

更新时间： 2024-02-26 07:11:24
品牌 Logo 应用领域
安华高科 - AVAGO 接口集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 544K
描述
IrDA Data Compliant Low Power 1.152 Mbit/s Infrared Transceiver

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ASDL-3212-021 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DMA
包装说明：,针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8517.62.00.50风险等级：5.46
接口集成电路类型：INTERFACE CIRCUITJESD-30 代码：R-XDMA-N6
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大供电电压：3.6 V最小供电电压：2.4 V
标称供电电压：3 V表面贴装：NO
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

ASDL-3212-021 数据手册

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Electrical and Optical Specifications  
Specificationsꢀ(Min.ꢀ&ꢀMax.ꢀvalues)ꢀholdꢀoverꢀtheꢀrecommendedꢀoperatingꢀconditionsꢀunlessꢀotherwiseꢀnoted.ꢀUnspeci-  
fiedꢀtestꢀconditionsꢀmayꢀbeꢀanywhereꢀinꢀtheirꢀoperatingꢀrange.ꢀAllꢀtypicalꢀvaluesꢀ(Typ.)ꢀareꢀatꢀ25°CꢀandꢀVccꢀsetꢀtoꢀ3.0Vꢀ  
unlessꢀotherwiseꢀnoted.  
Receiver  
Parameter  
Symbol  
2q  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
°
Conditions  
Viewing Angle  
30  
ꢀ/2  
Peak Sensitivity Wavelength  
RxD_IrDA Output Voltage  
l
875  
nm  
V
P
Logic High  
Logic Low  
V
OH  
ꢀ.3  
0
ꢀ.8  
0.4  
I = -ꢀ00 mA, EI ≤ 0.3 mW/cm2  
OH  
V
OL  
V
[9, ꢀ0]  
RxD_IrDA Pulse Width (SIR)  
RxD_IrDA Pulse Width (MIR)  
RxD_IrDA Rise & Fall Times  
t
t
ꢀ.5  
250  
60  
ms  
ns  
q
q
≤ ꢀ5°, C =9pF, EI = ꢀ0 mW/cm2  
L
RPW(SIR)  
RPW(MIR)  
ꢀ/2  
ꢀ/2  
[9, ꢀꢀ]  
≤ ꢀ5°, C =9pF, EI = ꢀ0 mW/cm2  
L
t , t  
r f  
ns  
CL=9pF  
[ꢀ2]  
Receiver Latency Time  
t
t
ꢀ20  
200  
ms  
ms  
EI = 9.0 mW/cm2  
EI = ꢀ0 mW/cm2  
L
[ꢀ3]  
Receiver Wake Up Time  
RW  
Infrared (IR) Transmitter  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Conditions  
IR Radiant Intensity  
I
EH  
9
80  
mW/sr  
I
= 250mA,  
LEDA  
q
ꢀ/2  
≤ ꢀ5°, VI (TxD) ≤ VIH,  
IR Viewing Angle  
2q  
ꢀ/2  
30  
60  
°
IR Peak Wavelength  
TxD_IrDA Logic Levels  
l
870  
nm  
V
P
High  
Low  
High  
Low  
V
ꢀ.3  
0
ꢀ.8  
0.5  
ꢀ0  
IH  
IL  
V
V
TxD_IrDA Input Current  
I
I
mA  
mA  
ns  
ms  
ms  
ns  
V ≥V  
I IH  
H
ꢀ0  
0 ≤ V ≤ V  
I IL  
L
[ꢀ4]  
Wake Up Time  
t
t
t
t
200  
70  
TW  
[ꢀ5]  
Maximum Optical Pulse Width  
TXD Pulse Width (SIR)  
PW(Max)  
PW(SIR)  
PW(MIR)  
ꢀ.6  
2ꢀ7  
t
t
=ꢀ.6ms at ꢀꢀ5.2 kbit/s  
PW (TXD)  
TXD Pulse Width (MIR)  
=2ꢀ7ns at ꢀ.ꢀ52 Mbit/s  
PW (TXD)  
TxD Rise & Fall Times (Optical)  
t , t  
r f  
600  
40  
ns  
ns  
t
t
=ꢀ.6ms at ꢀꢀ5.2 kbit/s  
=2ꢀ7ns at ꢀ.ꢀ5 Mbit/s  
PW(TXD)  
PW(TXD)  
IR LED Anode On-State Voltage  
V
2.0  
V
I
= 250mA,  
ON (LEDA)  
LEDA  
V
I(TxD)  
≥V  
IH  
Transceiver  
Parameters  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
mA  
Conditions  
V ≥V  
Input Current  
High  
I
I
I
I
ꢀ
H
I
IH  
Low  
ꢀ
mA  
0 ≤ V ≤ V  
I IL  
L
Supply Current  
Shutdown  
ꢀ
mA  
V
V
> V -ꢀ.3, T =25°C, no DC ambient  
CCꢀ  
CC5  
SD  
CC  
A
Idle (Standby)  
445  
570  
mA  
≤ V  
I(TxD)  
IL, EI=0  
5
12345678...17

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