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AS4C256K16E0

更新时间： 2024-02-16 15:57:50

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ALSC		动态存储器
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24页	632K
描述
5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C256K16E0 数据手册

AS4C256K16E0

CAS-before-RAS self refresh cycle

t_RP

t_RASS

t_RPS

RAS

t_RPC

t_CP

t_RPC

t_CSR

t_CHS

UCAS,

LCAS

t_CEZ

Typical DC and AC characteristics

Normalized access time t_RAC

vs. supply voltage V_CC

1.5

Normalized access time t_RAC

vs. ambient temperature T_a

Typical access time t_RAC

vs. load capacitance C_L

1.5

100

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

T_a= 25°C

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

4.0

4.5

5.0

5.5

–55

–10

100

150

200

250

6.0

125

Supply voltage (V)

Ambient temperature (°C)

Load capacitance (pF)

Typical supply current I_CC

vs. supply voltage V_CC

Typical supply current I_CC

vs. ambient temperature T_a

Typical power-on current I_PO

vs. cycle rate 1/t_RC

0.0

4.0

0.0

4.5

5.0

5.5

–55

–10

6.0

125

Supply voltage (V)

Ambient temperature (°C)

Cycle rate (MHz)

4/11/01; v.1.1

Alliance Semiconductor

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