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APD140VDTR-E1

更新时间: 2024-01-26 12:05:46
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BCDSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 339K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

APD140VDTR-E1 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DO-41
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.55
Is Samacsys:N其他特性:FREE WHEELING DIODE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:40 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

APD140VDTR-E1 数据手册

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Data Sheet  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
APD140  
Typical Performance Characteristics (Continued)  
100  
40  
TJ=25oC  
TJ=TJ max  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
10  
1
TJ=125oC  
0.1  
0.01  
1E-3  
1
10  
100  
0
20  
40  
60  
80  
100  
Number of Cycles at 60Hz  
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)  
Figure 5. Maximum Non-Repetitive  
Peak Forward Surge Current  
Figure 6. Typical Reverse Characteristics  
400  
100  
TJ=25oC  
f=1.0MHz  
VSIG=50mVp-p  
10  
0.1  
1
10  
100  
Reverse Voltage (V)  
Figure 7. Typical Junction Capacitance  
Mar. 2010 Rev. 1. 4  
BCD Semiconductor Manufacturing Limited  
4

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