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AP2151W PDF预览

AP2151W

更新时间： 2024-02-08 11:46:32
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
17页 481K
描述
0.5A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH

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AP2151W 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.07
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数：1接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：5.05 mm湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出电流流向：SINK最大输出电流：0.5 A
标称输出峰值电流：0.6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：Peripheral Drivers最大供电电压：5.5 V
最小供电电压：2.7 V标称供电电压：5 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

AP2151W 数据手册

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AP2141/ AP2151  
Electrical Characteristics (@TA = +25°C, VIN = +5.0V, unless otherwise specified.)  
Symbol  
VUVLO  
ISHDN  
IQ  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
1.9  
0.5  
45  
Max  
2.5  
1
Unit  
V
Input UVLO  
1.6  
RLOAD = 1kΩ  
Input Shutdown Current  
Input Quiescent Current  
Input Leakage Current  
Reverse Leakage Current  
µA  
µA  
µA  
µA  
Disabled, IOUT = 0  
Enabled, IOUT = 0  
70  
1
Disabled, OUT grounded  
ILEAK  
IREV  
1
Disabled, VIN = 0V, VOUT = 5V, IREV at VIN  
SOT25, SO-8, MSOP-8EP  
U-DFN2018-6  
95  
90  
115  
110  
140  
140  
TA = +25°C  
V
IN = 5V,  
I
OUT = 0.5A  
-40°C ≤ TA ≤ +85°C  
TA = +25°C  
Switch On-Resistance  
mΩ  
RDS(ON)  
120  
VIN = 3.3V,  
OUT = 0.5A  
I
170  
1.0  
1
-40°C ≤ TA ≤ +85°C  
Short-Circuit Current Limit  
Over-Load Current Limit  
0.6  
0.8  
1.0  
A
ISHORT  
ILIMIT  
ITRIG  
ISINK  
tD(ON)  
tR  
Enabled into short circuit, CL = 22µF  
0.6  
A
VIN = 5V, VOUT = 4.8V, CL = 22µF, -40C ≤ TA ≤ +85°C  
Output Current Slew rate (<100A/s) , CL = 22µF  
Current Limiting Trigger Threshold  
EN Input Leakage  
A
µA  
ms  
ms  
ms  
ms  
Ω
V
EN = 5V  
Output Turn-On Delay Time  
Output Turn-On Rise Time  
Output Turn-Off delay Time  
Output Turn-Off Fall Time  
FLG Output FET On-Resistance  
FLG Blanking Time  
0.05  
0.6  
CL = 1µF, RLOAD = 10Ω  
CL = 1µF, RLOAD = 10Ω  
CL = 1µF, RLOAD = 10Ω  
CL = 1µF, RLOAD = 10Ω  
IFLG =10mA  
1.5  
0.01  
0.05  
20  
tD(OFF)  
tF  
0.1  
40  
15  
RFLG  
tBLANK  
TSHDN  
THYS  
4
7
ms  
CIN = 10µF, CL = 22µF  
Enabled, RLOAD = 1kΩ  
Thermal Shutdown Threshold  
Thermal Shutdown Hysteresis  
140  
25  
C  
C  
SO-8 (Note 5)  
110  
60  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
MSOP-8EP (Note 6)  
SOT25 (Note 7)  
Thermal Resistance Junction-to-  
Ambient  
θJA  
157  
70  
U-DFN2018-6 (Note 8)  
Notes:  
5. Test condition for SO-8: Device mounted on FR-4, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
6. Test condition for SO-8, MSOP-8EP: Device mounted on 2” x 2” FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer  
and thermal vias to bottom layer ground plane.  
7. Test condition for SOT25: Device mounted on FR-4, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
8. Test condition for U-DFN2018-6: Device mounted on FR-4 2-layer board, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer and 3 vias to bottom  
layer 1.0”x1.4” ground plane.  
4 of 17  
www.diodes.com  
March 2013  
© Diodes Incorporated  
AP2141/ AP2151  
Document number: DS31562 Rev. 7 - 2  
1234567...17

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