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AMP02FS

更新时间： 2024-01-12 04:11:15
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亚德诺 - ADI 仪表放大器
页数 文件大小 规格书
12页 267K
描述
High Accuracy 8-Pin Instrumentation Amplifier

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AMP02FS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIE包装说明：DIE-9
针数：9Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.78放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.02 µA最小共模抑制比：75 dB
最大输入失调电流 (IIO)：0.01 µA最大输入失调电压：200 µV
JESD-30 代码：X-XUUC-N9JESD-609代码：e0
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：9
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
标称压摆率：6 V/us供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
最大电压增益：10000最小电压增益：1
标称电压增益：10Base Number Matches：1

AMP02FS 数据手册

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AMP02–SPECIFICATIONS  
(@ V = ؎15 V, V = 0 V, T = +25؇C, unless otherwise noted.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
S
CM  
A
AMP 02E  
Typ  
AMP 02F  
Typ  
P aram eter  
Sym bol  
Conditions  
Min  
Max  
Min  
Max  
Units  
OFFSET VOLT AGE  
Input Offset Voltage  
VIOS  
T A = +25°C  
20  
50  
0.5  
1
100  
200  
2
40  
100  
1
200  
350  
4
µV  
µV  
µV/°C  
mV  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
T A = +25°C  
Input Offset Voltage Drift  
Output Offset Voltage  
T CVIOS  
VOOS  
4
2
8
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
VS = ±4.8 V to ±18 V  
G = 100, 1000  
G = 10  
4
50  
10  
100  
9
100  
20  
200  
mV  
µV/°C  
Output Offset Voltage Drift T CVOOS  
Power Supply Rejection  
PSR  
115  
100  
80  
125  
110  
90  
110  
95  
75  
115  
100  
80  
dB  
dB  
dB  
G = 1  
VS = ±4.8 V to ±18 V  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
G = 1000, 100  
G = 10  
110  
95  
75  
120  
110  
90  
105  
90  
70  
110  
95  
75  
dB  
dB  
dB  
G = 1  
INPUT CURRENT  
Input Bias Current  
Input Bias Current Drift  
Input Offset Current  
Input Offset Current Drift  
IB  
T CIB  
IOS  
T A = +25°C  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
T A = +25°C  
2
10  
5
4
250  
2
20  
10  
nA  
pA/°C  
nA  
150  
1.2  
9
T CIOS  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
15  
pA/°C  
INPUT  
Input Resistance  
RIN  
Differential, G ≤ 1000  
10  
16.5  
10  
16.5  
GΩ  
GΩ  
V
Common-Mode, G = 1000  
A = +25°C (Note 1)  
Input Voltage Range  
IVR  
T
±11  
±11  
Common-Mode Rejection  
CMR  
VCM = ±11 V  
G = 1000, 100  
G = 10  
115  
100  
80  
120  
115  
95  
110  
95  
75  
115  
110  
90  
dB  
dB  
dB  
G = 1  
VCM = ±11 V  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
G = 100, 1000  
G = 10  
110  
95  
75  
120  
110  
90  
105  
90  
70  
115  
105  
85  
dB  
dB  
dB  
G = 1  
GAIN  
Gain Equation  
Accuracy  
G = 1000  
+1 G = 100  
0.50  
0.30  
0.25  
0.02  
10k  
0.70  
0.50  
0.40  
0.05  
10k  
%
%
%
%
50 kΩ  
RG  
G =  
G = 10  
G = 1  
Gain Range  
Nonlinearity  
T emperature Coefficient  
G
1
1
V/V  
%
ppm/°C  
G = 1 to 1000  
1 ≤ G ≤ 1000 (Notes 2, 3)  
0.006  
20  
0.006  
20  
GT C  
50  
50  
OUT PUT RAT ING  
Output Voltage Swing  
VOUT  
T A = +25°C, RL = 1 kΩ  
RL = 1 kΩ, –40°C ≤ TA ≤ +85°C  
Output-to-Ground Short  
Output-to-Ground Short  
±12  
±11  
±13  
±12  
22  
±12  
±11  
±13  
±12  
22  
V
V
Positive Current Limit  
Negative Current Limit  
mA  
mA  
32  
32  
NOISE  
Voltage Density, RT I  
en  
fO = 1 kHz  
G = 1000  
G = 100  
9
9
nV/√Hz  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
10  
18  
120  
0.4  
10  
18  
120  
0.4  
G = 10  
G = 1  
Noise Current Density, RT I in  
fO = 1 kHz, G = 1000  
0.1 Hz to 10 Hz  
G = 1000  
G = 100  
Input Noise Voltage  
en p-p  
0.4  
0.5  
1.2  
0.4  
0.5  
1.2  
µV p-p  
µV p-p  
µV p-p  
G = 10  
DYNAMIC RESPONSE  
Small-Signal Bandwidth  
(–3 dB)  
G = 100, 1000  
Slew Rate  
BW  
G = 1  
G = 10  
1200  
300  
200  
6
1200  
300  
200  
6
kHz  
kHz  
kHz  
V/µs  
SR  
tS  
G = 10, RL = 1 kΩ  
T o 0.01% ±10 V Step  
G = 1 to 1000  
4
4
Settling T ime  
10  
10  
µs  
SENSE INPUT  
Input Resistance  
Voltage Range  
RIN  
RIN  
25  
±11  
25  
±11  
kΩ  
V
REFERENCE INPUT  
Input Resistance  
Voltage Range  
50  
±11  
1
50  
±11  
1
kΩ  
V
V/V  
Gain to Output  
–2–  
REV. D  
1234567...12

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