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AMIS30660CANH6RG PDF预览

AMIS30660CANH6RG

更新时间： 2024-02-22 15:36:09
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 网络接口电信集成电路电信电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 138K
描述
High Speed CAN Transceiver

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AMIS30660CANH6RG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：5.46
Is Samacsys：N数据速率：1000 Mbps
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9276 mm湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
收发器数量：1最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.7272 mm
子类别：Network Interfaces最大压摆率：0.065 mA
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.937 mm
Base Number Matches：1

AMIS30660CANH6RG 数据手册

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AMIS−30660  
Table 3. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
−0.3  
−45  
Max  
+7  
Unit  
V
V
V
Supply Voltage  
CC  
DC Voltage at Pin CANH  
0 < V < 5.25 V;  
No Time Limit  
+45  
V
CANH  
CC  
V
CANL  
DC Voltage at Pin CANL  
0 < V < 5.25 V;  
−45  
+45  
V
CC  
No Time Limit  
V
V
V
V
V
V
DC Voltage at Pin TxD  
DC Voltage at Pin RxD  
DC Voltage at Pin S  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−150  
−150  
V
V
V
V
+ 0.3  
V
V
V
V
V
V
TxD  
CC  
CC  
CC  
CC  
+ 0.3  
+ 0.3  
+ 0.3  
RxD  
S
DC Voltage at Pin V  
ref  
REF  
Transient Voltage at Pin CANH  
(Note 2)  
(Note 2)  
+150  
tran(CANH)  
tran(CANL)  
Transient Voltage at Pin CANL  
+150  
V
esd  
Electrostatic Discharge Voltage at All Pins  
(Note 3)  
(Note 5)  
−4  
−500  
+4  
+500  
kV  
V
Latchup  
Static Latchup at All Pins  
Storage Temperature  
(Note 4)  
100  
mA  
°C  
°C  
°C  
T
stg  
−55  
−40  
−40  
+155  
+125  
+150  
T
amb  
Ambient Temperature  
T
Junc  
Maximum Tunction Temperature  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the  
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect  
device reliability.  
2. Applied transient waveforms in accordance with ISO 7637 part 3, test pulses 1, 2, 3a, and 3b (see Figure 4).  
3. Standardized human body model ESD pulses in accordance to MIL883 method 3015.7.  
4. Static latch−up immunity: static latch−up protection level when tested according to EIA/JESD78.  
5. Standardized charged device model ESD pulses when tested according to EOS/ESD DS5.3−1993.  
Table 4. THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Value  
Unit  
R
R
Thermal Resistance from Junction−to−Ambient in SOIC−8  
In Free Air  
150  
K/W  
th(vj−a)  
Package  
)
Thermal resistance from Junction−to−Substrate of Bare Die  
In Free Air  
45  
K/W  
th(vj−s  
VBAT  
60 W  
60 W  
47 nF  
IN  
OUT  
5V−reg  
V
V
CC  
CC  
3
S
8
4
1
CANH  
7
5
6
CAN  
BUS  
RxD  
TxD  
CAN  
AMIS−  
Vref  
controller  
30660  
CANL  
60 W  
60 W  
2
PC20040918.2  
GND  
GND  
47 nF  
Figure 2. Application Diagram  
http://onsemi.com  
3
 
1234567...10

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