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AMIS30600AGA

更新时间： 2024-02-02 01:30:14
品牌 Logo 应用领域
AMI 网络接口电信集成电路电信电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 409K
描述
LIN Transceiver

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AMIS30600AGA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.62
Is Samacsys：NJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3/e4长度：4.9276 mm
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.7272 mm标称供电电压：5 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.937 mmBase Number Matches：1

AMIS30600AGA 数据手册

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AMIS-30600 LIN Transceiver  
Data Sheet  
6.2 Operating Range  
Table 5: Operating Range  
Symbol  
VCC  
Parameter  
Min.  
4.75  
7.3  
Typ.  
Max.  
+5.25  
+18  
Unit  
V
Supply voltage  
VBB  
Battery supply voltage  
V
Tjunc  
Maximum junction temperature  
Thermal shutdown temperature  
Thermal resistance junction to ambient  
-40  
+150  
+190  
°C  
Tjsd  
+150  
+170  
185  
°C  
Rthj-a  
°C/W  
6.3 DC Electrical Characteristics  
VCC = 4.75 to 5.25V; VBB = 7.3 to 18V; VEN > VEN,on ; Tamb = -40 to +125°C; RL = 500Ω unless specified otherwise. All voltages with  
respect to ground; positive current flowing into pin; unless otherwise specified.  
Table 6: DC Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Supply (pin VCC and pin VBB)  
Dominant; VTxD =0V  
Recessive; VTxD =VCC  
Dominant; VTxD =0V  
Recessive; VTxD =VCC  
400  
250  
1
700  
500  
1.5  
µA  
µA  
mA  
µA  
µA  
µA  
ICC  
5V supply current  
IBB  
IBB  
ICC  
Battery supply current  
100  
200  
Battery supply current  
5V supply current  
Sleep mode; VINH = 0V  
Sleep mode; VINH = 0V  
35  
55  
1
0.25  
Transmitter Data Input (pin TxD)  
VIH  
High-level input voltage  
Output recessive  
Output dominant  
0.7 x VCC  
-
-
VCC  
0.3 x VCC  
60  
V
V
VIL  
Low-level input voltage  
Pull-up resistor to Vcc  
0
RTxD,pu  
24  
kΩ  
Receiver Data Output (pin RxD)  
VOH  
VOL  
High-level output voltage  
Low-level output voltage  
IRXD = -10mA  
IRXD = 5mA  
0.8 x VCC  
0
VCC  
V
V
0.2 x VCC  
Enable Input (pin EN)  
VEN,on  
VEN,off  
REN,pd  
High-level input voltage  
Normal mode  
0.7 x VCC  
-
-
VCC  
0.3 x VCC  
15  
V
V
Low-level input voltage  
Low power mode  
0
6
Pull-down resistor to GND  
10  
kΩ  
Inhibit Output (pin INH)  
VINH,d High-level voltage drop: VINH,d = VBB - VINH  
IINH,lk Leakage current  
Bus Line (pin LIN)  
IINH = - 0.15mA  
0.5  
-
1.0  
5.0  
V
Sleep mode; VINH = 0V  
-5.0  
µA  
Vbus,rec  
Vbus,dom  
Ibus,sc  
Recessive bus voltage at pin LIN  
VTxD =VCC  
0.9 x VBB  
0
-
-
VBB  
V
VTxD = 0V  
VTxD = 0V; Ibus = 40mA  
0.15 x VBB  
1.4  
V
V
Dominant output voltage at pin LIN  
Bus short circuit current  
Vbus,short = 18V  
40  
85  
130  
mA  
VCC=VBB=0V; Vbus=8V  
VCC=VBB=0V; Vbus=20V  
-400  
-200  
5
Ibus,lk  
Bus leakage current  
µA  
20  
47  
Rbus  
Bus pull-up resistance  
VTxD = 0V  
20  
30  
kΩ  
V
Vbus,rd  
Vbus,dr  
Vq  
Receiver threshold: recessive to dominant  
Receiver threshold: dominant to recessive  
Receiver hysteresis  
0.4 x VBB  
0.4 x VBB  
0.05 x VBB  
0.4 x VBB  
0.48 x VBB  
0.52 x VBB  
0.04 x VBB  
0.6 x VBB  
0.6 x VBB  
V
Vbus,hys=Vbus,rec-Vbus,dom  
0.175 x VBB  
0.6 x VBB  
V
VWAKE  
Wake-up threshold voltage  
V
AMI Semiconductor – Rev. 2.0, Apr. 2005  
5
www.amis.com  
12345678...11

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