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AMC1311BDWVR

更新时间: 2023-09-03 20:31:10
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德州仪器 - TI 放大器分离技术隔离技术光电二极管
页数 文件大小 规格书
38页 1948K
描述

2V 输入、精密电压检测增强型隔离式放大器

| DWV | 8 | -55 to 125

AMC1311BDWVR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:1.67
放大器类型:ISOLATION AMPLIFIER标称带宽 (3dB):275 MHz
最小绝缘电压:5000 VJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4长度:7.5 mm
湿度敏感等级:3最大非线性:0.04%
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TR峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:2.8 mm子类别:Isolation Amplifier
最大压摆率:9.7 mA供电电压上限:5.5 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
温度等级:MILITARY端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:5.85 mmBase Number Matches:1

AMC1311BDWVR 数据手册

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AMC1311  
www.ti.com.cn  
ZHCSH46C DECEMBER 2017 REVISED JUNE 2022  
7.4 Thermal Information  
DWV (SOIC)  
UNIT  
THERMAL METRIC(1)  
8 PINS  
RθJA  
Junction-to-ambient thermal resistance  
84.6  
28.3  
41.1  
4.9  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC(top) Junction-to-case (top) thermal resistance  
RθJB  
ΨJT  
Junction-to-board thermal resistance  
Junction-to-top characterization parameter  
Junction-to-board characterization parameter  
39.1  
n/a  
ΨJB  
RθJC(bot) Junction-to-case (bottom) thermal resistance  
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application  
report.  
7.5 Power Ratings  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VDD1 = VDD2 = 5.5 V  
VALUE  
98  
UNIT  
PD  
Maximum power dissipation (both sides)  
mW  
VDD1 = VDD2 = 3.6V, AMC1311B only  
VDD1 = 5.5 V  
56  
53  
PD1  
Maximum power dissipation (high-side)  
Maximum power dissipation (low-side)  
mW  
mW  
VDD1 = 3.6 V, AMC1311B only  
VDD2 = 5.5 V  
30  
45  
PD2  
VDD2 = 3.6 V, AMC1311B only  
26  
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated  
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7
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