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AM45DL6408G70IT

更新时间： 2024-01-25 10:58:02

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飞索 - SPANSION		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
65页	1101K
描述
Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, FBGA-73

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AM45DL6408G70IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	73	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.12
其他特性：	PSEUDO SRAM IS ORGANISED AS 1M X 8 OR 512K X 16; FLASH CAN ALSO BE ORGANISED AS 8M X 8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B73
JESD-609代码：	e0	长度：	11.6 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	73
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AM45DL6408G70IT 数据手册

P R E L I M I N A R Y

FLASH MEMORY BLOCK DIAGRAM

OE# BYTE#

Mux

Bank 1

Bank 1 Address

A21–A0

X-Decoder

Bank 2 Address

RY/BY#

Bank 2

X-Decoder

A21–A0

RESET#

STATE

CONTROL

Status

WE#

DQ15–DQ0

COMMAND

CE#

BYTE#

WP#/ACC

Control

Mux

DQ15–DQ0

X-Decoder

Bank 3

Bank 3 Address

Bank 4 Address

X-Decoder

Bank 4

A21–A0

Mux

Am45DL6408G

May 13, 2003

1...4 5 678 9 10...65

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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