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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | REVERSE, TSOP-40 | 针数： | 40 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1-R |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM29LV004B-100FKB | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 100ns, PDSO40, REVERSE, TSOP-40 |
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| AM29LV004B-100SC | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 100ns, PDSO44, SOP-44 |
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| AM29LV004B-100SD | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 100ns, PDSO44, SOP-44 |
|
| AM29LV004B-120EC | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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| AM29LV004B-120ECB | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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| AM29LV004B-120EE | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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| AM29LV004B-120EEB | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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| AM29LV004B-120EF | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 120ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-40 |
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| AM29LV004B-120EI | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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| AM29LV004B-120EIB | AMD |
获取价格 |
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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