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AM29DL164DT70EI

更新时间： 2024-02-23 21:18:39

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
57页	1258K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory

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AM29DL164DT70EI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,32
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.23	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	20 YEAR DATA RETENTION	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	9 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AM29DL164DT70EIN	ETC	x8/x16 Flash EEPROM	获取价格
AM29DL164DT70PCF	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
AM29DL164DT70PCF	SPANSION	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1.0 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64	获取价格
AM29DL164DT70PCI	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
AM29DL164DT70VRF	SPANSION	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, 8.15 X 6.15 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VBGA-48	获取价格
AM29DL164DT70VRF	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格