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AM29DL164DB120EIN

更新时间: 2024-02-11 01:27:08
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52页 936K
描述
x8/x16 Flash EEPROM

AM29DL164DB120EIN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA,
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.84最长访问时间:120 ns
其他特性:20 YEAR DATA RETENTION备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM数据保留时间-最小值:20
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e1
长度:9 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:48字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40类型:NOR TYPE
宽度:8 mm

AM29DL164DB120EIN 数据手册

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PRODUCT SELECTOR GUIDE  
Part Number  
Am29DL162D/163D/164D  
Speed Option  
Standard Voltage Range: VCC = 2.7–3.6 V  
70  
90  
90  
90  
40  
120  
Max Access Time (ns)  
CE# Access (ns)  
OE# Access (ns)  
70  
70  
30  
120  
120  
50  
BLOCK DIAGRAM  
OE# BYTE#  
V
V
CC  
SS  
Upper Bank Address  
A0–A19  
Upper Bank  
X-Decoder  
RY/BY#  
A0–A19  
RESET#  
STATE  
CONTROL  
&
COMMAND  
REGISTER  
WE#  
CE#  
Status  
DQ0–DQ15  
BYTE#  
Control  
WP#/ACC  
DQ0–DQ15  
X-Decoder  
Lower Bank  
A0–A19  
Lower Bank Address  
OE# BYTE#  
Am29DL162D/163D/164D  
5

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