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HG-302C

更新时间： 2024-01-28 04:34:40
品牌 Logo 应用领域
AKM 传感器换能器磁场传感器
页数 文件大小 规格书
3页 919K
描述
Shipped in bulk(500pcs per pack)

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HG-302C 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

HG-302C 数据手册

 浏览型号HG-302C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HG-302C的Datasheet PDF文件第3页 
GaAs Hall Element  
HG-302C  
HG-302Cは、リードを一方向に配したSIP形状GaAsホール素子です。  
モールド層が薄いため、ギャップの狭い所に配置することができます。  
標準はバルク供給となります。（500pcs.／Pack）  
Shipped in bulk(500pcs per pack)  
Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE"  
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログの表紙裏 注意  
の「重  
要 事項」を  
良くお読みください。  
written on the back of the front cover of this catalogue.  
●最大定格 Absolute Maximum Ratings  
条ꢀꢀ件  
項
目
記号  
定
格
単
位
Conditions  
Item  
Symbol  
Limit  
Unit  
最 大 制 御 電 圧  
V
mW  
℃
V
C
10  
Max. Input Voltage  
Ta=25℃  
最 大 許 容 損 失  
150  
P
D
Max.Input Power  
動
作
温
度
●外形寸法図 Dimensional Drawing (Unit : mm)  
Topr  
－40 ～ ＋125  
－40 ～ ＋150  
Operating Temp. Range  
0
－
2.7±0.1  
0.95  
0.1  
保
存
温
度
Sensor  
center  
T
STG  
℃
Storage Temp. Range  
（0.53）  
マーク面  
1
φ0.3  
●電気的特性（測  
定温度 25℃）Electrical Characteristics(Ta=25℃)  
0.57  
0.38  
項
目
記号  
測
定
条
件
最小 標準 最大 単位  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
0.2  
※
H
ホール出力電圧  
B=50mT, VC=6V  
55  
130  
75  
850  
mV  
V
Output Hall Voltage  
0.4  
0.3  
入
力
抵
抗
Rin B=0mT, IC =0.1mA  
650 750  
Ω
Input Resistance  
出
力
抵
抗
R
OUT  
B=0mT, IC =0.1mA  
B=0mT, VC=6V  
650 750  
850  
Ω
Output Resistance  
リ ー ド  
接
続
Pinning  
不 平 衡 電 圧  
1
2 3 4  
VOS (Vu)  
－11  
+11  
mV  
Offset Voltage  
±
）
入
力
力
1.0 1.0 1.0  
1（±）  
3（  
4（  
αV※  
H
－0.06 %/℃  
0.3  
Input  
出力電圧の温度係数  
B=50mT, IC=5mA  
Ta=25～125℃  
10°  
10°  
±
Temp. Coefficient of V  
H
出
2（±）  
）
Output  
αRi※n  
入力抵抗の温度係数  
B=0mT, IC =0.1mA  
Ta=25～125℃  
%/℃  
Temp. Coefficient of Rin  
※
ホ ー ル 電 圧 直  
線 性  
%
B=0.1/0.5T, IC =5mA  
2
ΔK  
Linearity  
Notes : 1. V  
2.  
3. Rin=  
H
= VHM –VOS (Vu) (VHM:meter indication)  
1
VH (T2) – VH (T1)  
X 100  
(T2 – T1)  
●特性曲線図  
許容損失(P  
Characteristic Curves  
V
H
=
X
X
VH (T1)  
1
Rin(T2) – Rin(T1) X 100  
D
)―周囲温度(Ta)  
Rin(T1)  
(T2 – T1)  
K (B1) – K (B2)  
[K (B1) + K (B2)]  
Allowable Package Power Dissipation  
K
4.  
=
X 100  
2
/
200  
T
1
= 25˚C, T  
2
= 125˚C  
VH  
IC • B  
K =  
160  
120  
80  
40  
0
B1  
= 0.5T, B  
2
= 0.1T  
0
20  
40  
60  
囲温度：Ta [℃]  
Ambient Temperature(˚C)  
80  
100  
120  
140  
周
79  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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