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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> ADuM3221WARZ
ADuM3221WARZ PDF预览

ADuM3221WARZ

更新时间： 2024-02-10 13:22:52
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 外围驱动器栅极驱动程序和接口接口集成电路光电二极管栅极驱动
页数 文件大小 规格书
16页 614K
描述
Isolated, 4 A Dual-Channel Gate Driver

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ADuM3221WARZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.55Is Samacsys：N
内置保护：TRANSIENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE高边驱动器：NO
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：3功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.23 A
标称输出峰值电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.75 mm最大压摆率：17 mA
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：3 V
标称供电电压：3.3 V电源电压1-最大：18 V
电源电压1-分钟：4.5 V电源电压1-Nom：10 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
断开时间：0.72 µs接通时间：0.72 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

ADuM3221WARZ 数据手册

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ADuM3220/ADuM3221  
Data Sheet  
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10) INSULATION CHARACTERISTICS  
These isolators are suitable for reinforced isolation only within the safety limit data. Maintenance of the safety data is ensured by protective  
circuits. The asterisk (*) marking on the package denotes DIN V VDE V 0884-10 approval for a 560 V peak working voltage.  
Table 6.  
Description  
Test Conditions/Comments  
Symbol Characteristic Unit  
Installation Classification per DIN VDE 0110  
For Rated Mains Voltage ≤ 150 V rms  
For Rated Mains Voltage ≤ 300 V rms  
For Rated Mains Voltage ≤ 400 V rms  
Climatic Classification  
Pollution Degree per DIN VDE 0110, Table 1  
Maximum Working Insulation Voltage  
Input-to-Output Test Voltage, Method B1  
I to IV  
I to III  
I to II  
40/105/21  
2
VIORM  
VPR  
560  
1050  
V peak  
V peak  
VIORM × 1.875 = VPR, 100% production test, tm = 1 sec,  
partial discharge < 5 pC  
Input-to-Output Test Voltage, Method A  
After Environmental Tests Subgroup 1  
After Input and/or Safety Tests Subgroup 2 VIORM × 1.2 = VPR, tm = 60 sec, partial discharge < 5 pC  
and Subgroup 3  
Highest Allowable Overvoltage  
Safety-Limiting Values  
VIORM × 1.6 = VPR, tm = 60 sec, partial discharge < 5 pC  
VPR  
896  
672  
V peak  
V peak  
VPR  
VTR  
Transient overvoltage, tTR = 10 sec  
Maximum value allowed in the event of a failure  
(see Figure 3)  
4000  
V peak  
Case Temperature  
Side 1 Current  
Side 2 Current  
TS  
IS1  
IS2  
RS  
150  
160  
47  
°C  
mA  
mA  
Ω
Insulation Resistance at TS  
VIO = 500 V  
>109  
200  
180  
160  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
Table 7.  
Parameter  
Symbol Min  
Max Unit  
140  
SIDE 1  
Operating Junction  
Temperature  
Supply Voltages1  
TJ  
−40  
+125 °C  
120  
100  
80  
VDD1  
VDD2  
tVDD1  
3.0  
4.5  
5.5  
18  
1
V
V
VDD1 Rise Time  
Common-Mode Transient  
Immunity, Input to Output  
Input Signal Rise and Fall  
Times  
V/µs  
kV/µs  
60  
SIDE 2  
−25  
+25  
40  
20  
0
1
ms  
0
50  
100  
150  
200  
1 All voltages are relative to their respective ground. See the DC Correctness  
and Magnetic Field Immunity section for information about immunity to  
external magnetic fields.  
CASE TEMPERATURE (°C)  
Figure 3. Thermal Derating Curve; Dependence of Safety-Limiting Values  
on Case Temperature, per DIN V VDE V 0884-10 (Safety-Limiting Current  
Is Defined as the Average Current at Maximum VDD  
)
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