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ADG333ABRSZ PDF预览

ADG333ABRSZ

更新时间： 2024-01-05 18:37:44
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 信息通信管理光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 280K
描述
Quad SPDT Switch

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ADG333ABRSZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SSOP
包装说明：SSOP, SSOP20,.3针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：1.2
模拟集成电路 - 其他类型：SPDTJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e3长度：7.2 mm
湿度敏感等级：1标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
信道数量：1功能数量：4
端子数量：20标称断态隔离度：72 dB
通态电阻匹配规范：4 Ω最大通态电阻 (Ron)：45 Ω
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SSOP封装等效代码：SSOP20,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：12/+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2 mm
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电流 (Isup)：0.35 mA
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：YES
最长断开时间：145 ns最长接通时间：175 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：BICMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：5.3 mmBase Number Matches：1

ADG333ABRSZ 数据手册

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Data Sheet  
ADG333A  
SPECIFICATIONS  
DUAL SUPPLY  
VDD = +15 V, VSS = −15 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.1  
Table 1.  
Parameter  
+25°C −40°C to +85°C  
Unit  
Test Conditions/Comments  
ANALOG SWITCH  
Analog Signal Range  
RON  
VSS to VDD  
V
20  
45  
Ω typ  
Ω max  
Ω max  
Ω max  
VD = 10 V, IS = –1 mA  
45  
5
VD = 5 V, IS = −10 mA  
VD = 10 V, IS = −10 mA  
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V  
VD = 15.5 V, VS = +15.5 V  
Figure 15  
∆RON  
RON Match  
4
LEAKAGE CURRENTS  
Source Off Leakage IS (OFF)  
0.1  
nA typ  
nA max  
nA typ  
nA max  
0.25  
0.1  
3
5
Channel On Leakage ID, IS (ON)  
VS = VD = 15.5 V  
0.4  
Figure 16  
DIGITAL INPUTS  
Input High Voltage, VINH  
Input Low Voltage, VINL  
Input Current  
2.4  
0.8  
V min  
V max  
IINL or IINH  
0.005  
µA typ  
VIN = 0 V or VDD  
0.5  
µA max  
DYNAMIC CHARACTERISTICS2  
tON  
90  
ns typ  
ns max  
ns typ  
ns max  
ns min  
pC typ  
RL= 300 Ω, CL = 35 pF; VS = 10 V; Figure 17  
175  
145  
tOFF  
80  
RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = 10 V; Figure 17  
RL = 300 Ω, CL= 35 pF; VS = +5 V; Figure 18  
VD = 0 V, RD = 0 Ω, CL= 10 nF; VDD = +15 V, VSS = −15 V;  
Figure 19  
Break-Before-Make Delay, tOPEN  
Charge Injection  
10  
2
10  
72  
85  
7
pC max  
dB typ  
dB typ  
pF typ  
pF typ  
Off Isolation  
Channel-to-Channel Crosstalk  
CS (OFF)  
RL = 75 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz; VS = 2.3 V rms; Figure 20  
RL = 75 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz; VS = 2.3 V rms; Figure 21  
CD, CS (ON)  
26  
POWER REQUIREMENTS  
IDD  
0.05  
0.25  
0.01  
1
mA typ  
mA max  
µA typ  
Digital inputs = 0 V or 5 V  
0.35  
5
ISS  
µA max  
VDD/VSS  
3/ 20  
V min/V max  
|VDD| = |VSS|  
1 Temperature range is as follows: B version: −40°C to +85°C.  
2 Guaranteed by design; not subject to production test.  
Rev. B | Page 3 of 13  
 
 
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