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ADB1006

更新时间： 2024-01-29 22:22:18

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10 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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ADB1006 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	S-PUFM-W4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	650 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	5 µA	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

ADB1006 数据手册

DIOTEC ELECTRONICS CORP.

18020 Hobart Blvd., Unit B

Data Sheet No. BRDB-1000-1C

ABDB-1000-1C

Gardena, CA 90248 U.S.A

Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958

10 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIERS

MECHANICAL SPECIFICATION

FEATURES

ACTUAL SIZE

VOID FREE VACUUM DIE SOLDERING FOR MAXIMUM

MECHANICAL STRENGTH AND HEAT DISSIPATION

(Solder Voids: Typical < 2%, Max. < 10% of Die Area)

SERIES DB1000-DB1010 and ADB1004-ADB1008

DB1004

BUILT-IN STRESS RELIEF MECHANISM FOR

SUPERIOR RELIABILITY AND PERFORMANCE

SURGE OVERLOAD RATING TO 400 AMPS PEAK

UL RECOGNIZED - FILE #E124962

RoHS COMPLIANT

MECHANICAL DATA

Case: Molded Epoxy (UL Flammability Rating 94V-0)

Terminals: Round silver plated copper pins

MILLIMETERS

INCHES

MIN

0.73

0.25

SYM

MIN

MAX

19.6

7.6

MAX

Soldering: Per MIL-STD 202 Method 208 guaranteed

Polarity: Marked on side of case; positive lead at beveled corner

Mounting Position: Any. Through hole provided for #6 screw

Weight: 0.18 Ounces (5.4 Grams)

18.5

6.4

0.77

0.3

12.2

22.2

1.2

13.2 0.48

n/a

1.3

0.52

n/a

0.875

0.048 0.052

MAXIMUM RATINGS & ELECTRICAL CHARACTERISTICS

RATINGS

PARAMETER (TEST CONDITIONS)

SYMBOL

UNITS

Series Number

Maximum DC Blocking Voltage

Working Peak Reverse Voltage

Maximum Peak Recurrent Reverse Voltage

VOLTS

RMS Reverse Voltage

Power Dissipation in V

Region for 100 S Square Wave

Region

WATTS

Continuous Power Dissipation in V

I t

@ T =80 C (Heat Sink Temp)

AMPS

Thermal Energy (Rating for Fusing)

SEC

Peak Forward Surge Current. Single 60Hz Half-Sine Wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method). TJ = 150 C

AMPS

@ T = 50 C (Notes 1, 3)

@ T = 50 C (Note 2)

Average Forward Rectified Current

Junction Operating and Storage Temperature Range

T , T

°C

Minimum Avalanche Voltage

Maximum Avalanche Voltage

VOLTS

Maximum Forward Voltage (Per Diode) at 5 Amps DC

@ T = 25 C

@T = 100 C

Maximum Reverse Current at Rated V

VOLTS

Minimum Insulation Breakdown Voltage (Circuit to Case)

Junction to Ambient (Note 2)

Junction to Case (Note 1)

Typical Thermal Resistance

C/W

E33

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