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AD8229

更新时间： 2024-02-03 08:21:41
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亚德诺 - ADI 仪表放大器
页数 文件大小 规格书
24页 825K
描述
1nV/√Hz Low Noise 210°C Instrumentation Amplifier

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AD8229 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：ROHS COMPLIANT, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：2.33
Samacsys Confidence：Samacsys Status：Released
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=420417PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=420417
Samacsys PartID：420417Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/AD8229HDZ.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/AD8229HDZ.jpgSamacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：DIP254P762X355-8PSamacsys Released Date：2017-01-10 13:33:33
Is Samacsys：N放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.07 µA标称带宽 (3dB)：15 MHz
最小共模抑制比：86 dB最大输入失调电流 (IIO)：0.035 µA
最大输入失调电压：100 µVJESD-30 代码：R-CDIP-T8
JESD-609代码：e4长度：13.208 mm
负供电电压上限：-17 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：210 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：+-15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.09 mm标称压摆率：22 V/us
子类别：Instrumentation Amplifier最大压摆率：7 mA
供电电压上限：17 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：GOLD端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压增益：1000
最小电压增益：1标称电压增益：10
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

AD8229 数据手册

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AD8229  
DIP package  
Typ  
Parameter  
DYNAMIC RESPONSE  
Small Signal Bandwidth – 3 dB  
G = 1  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
15  
4
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
1.2  
0.15  
Settling Time 0.01%  
G = 1  
10 V step  
10 V step  
0.75  
0.65  
0.85  
5
µs  
µs  
µs  
µs  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
Settling Time 0.001%  
G = 1  
0.9  
0.9  
1.2  
7
µs  
µs  
µs  
µs  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
Slew Rate  
G = 1 to 100  
GAIN2  
22  
V/µs  
V/V  
G = 1 + (6 kΩ/RG)  
VOUT = 10 V  
Gain Range  
Gain Error  
1
1000  
G = 1  
0.01  
0.05  
0.05  
0.1  
0.03  
0.3  
%
%
%
%
G = 10  
G = 100  
0.3  
G = 1000  
0.3  
Gain Nonlinearity  
G = 1 to 1000  
Gain vs. Temperature  
G = 1  
VOUT = −10 V to +10 V  
RL = 10 kΩ  
2
2
ppm  
−40°C to +210°C  
−40°C to +210°C  
5
ppm/°C  
ppm/°C  
G > 10  
−100  
INPUT  
Impedance (Pin to Ground)3  
Input Operating Voltage Range4  
1.5||3  
GΩ||pF  
V
VS = 5 V to 18 V  
for dual supplies  
−40°C to +210°C  
−VS + 2.8  
−VS + 2.8  
+VS − 2.5  
+VS − 2.5  
Over Temperature  
OUTPUT  
V
V
Output Swing  
RL = 2 kΩ  
−VS + 1.9  
+Vs − 1.5  
High Temperature  
Output Swing  
TA = 210°C  
RL = 10 kΩ  
TA = 210°C  
−VS + 1.1  
−VS + 1.8  
−VS + 1.1  
+Vs − 1.1  
+Vs − 1.2  
+Vs − 1.1  
V
V
High Temperature  
Short-Circuit Current  
REFERENCE INPUT  
RIN  
V
35  
mA  
10  
70  
kΩ  
µA  
V
IIN  
VIN+, VIN− = 0 V  
Voltage Range  
Reference Gain to Output  
Reference Gain Error  
−VS  
+VS  
1
V/V  
%
0.01  
Rev. 0 | Page 4 of 24  
1234567...24

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