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AD8222HBCPZ-WP

更新时间： 2024-01-30 12:21:25
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 仪表放大器放大器电路PC
页数 文件大小 规格书
24页 417K
描述
Precision, Dual-Channel Instrumentation Amplifier

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AD8222HBCPZ-WP 技术参数

生命周期：Active包装说明：DIE-16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.003 µA
标称带宽 (3dB)：1.2 MHz最小共模抑制比：80 dB
最大输入失调电流 (IIO)：0.0015 µA最大输入失调电压：150 µV
JESD-30 代码：R-XUUC-N16长度：2.46 mm
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
最大非线性：0.002%功能数量：2
端子数量：16最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP座面最大高度：0.3048 mm
标称压摆率：2.5 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
最大电压增益：10000最小电压增益：1
标称电压增益：10宽度：2.365 mm
Base Number Matches：1

AD8222HBCPZ-WP 数据手册

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AD8222  
SPECIFICATIONS  
VS = 15 V, VREF = 0 V, TA = 25°C, G = 1, RL = 2 kΩ, unless otherwise noted.  
Table 2. Single-Ended and Differential1 Output Configuration  
A Grade  
Typ  
B Grade  
Typ  
Parameter  
Conditions  
CM = –10 V to +10 V  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
COMMON-MODE REJECTION  
RATIO (CMRR)  
V
CMRR DC to 60 Hz  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
1 kΩ source imbalance  
80  
86  
dB  
dB  
dB  
dB  
100  
120  
130  
106  
126  
140  
CMRR at 4 kHz  
G = 1  
80  
80  
dB  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
90  
100  
100  
100  
110  
110  
dB  
dB  
dB  
CMRR Drift  
NOISE  
TA = −40°C to +85°C, G = 1  
0.07  
0.07  
μV/V/°C  
Voltage Noise, 1 kHz  
Input Voltage Noise, eNI  
Output Voltage Noise, eNO  
RTI  
RTI noise = √(eNI2 + (eNO/G)2)  
V+IN, V−IN, VREF = 0 V  
V+IN, V−IN, VREF = 0 V  
8
75  
8
75  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
f = 0.1 Hz to 10 Hz  
G = 1  
G = 10  
G = 100 to 1000  
Current Noise  
2
2
μV p-p  
μV p-p  
μV p-p  
fA/√Hz  
pA p-p  
0.5  
0.25  
40  
6
0.5  
0.25  
40  
6
f = 1 kHz  
f = 0.1 Hz to 10 Hz  
RTI VOS = (VOSI) + (VOSO/G)  
VS = 5 V to 15 V  
TA = −40°C to +85°C  
VOLTAGE OFFSET  
Input Offset, VOSI  
Over Temperature  
Average TC  
Output Offset, VOSO  
Over Temperature  
Average TC  
120  
150  
0.4  
500  
0.8  
9
60  
80  
0.3  
350  
0.5  
5
μV  
μV  
μV/°C  
μV  
mV  
VS = 5 V to 15 V  
TA = −40°C to +85°C  
μV/°C  
Offset RTI vs. Supply (PSR)  
G = 1  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
VS = 2.3 V to 18 V  
90  
110  
120  
130  
140  
94  
110  
130  
140  
150  
dB  
dB  
dB  
dB  
110  
124  
130  
114  
130  
140  
INPUT CURRENT (PER CHANNEL)  
Input Bias Current, IBIAS  
Over Temperature  
Average TC  
Input Offset Current, IOFFSET  
Over Temperature  
Average TC  
0.5  
2.0  
3.0  
0.2  
1.0  
1.5  
nA  
nA  
pA/°C  
nA  
nA  
TA = −40°C to +85°C  
TA = −40°C to +85°C  
1
0.2  
1
0.1  
1
1.5  
0.5  
0.6  
2
1
0.5  
pA/°C  
Rev. A | Page 3 of 24  
 
 
1234567...24

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