AD8205YRZ

更新时间： 2024-01-29 12:38:19

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亚德诺 - ADI		放大器
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12页	457K
描述
Single-Supply 42 V System Difference Amplifier

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AD8205YRZ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.31.00.01	风险等级：	0.68
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	标称共模抑制比：	80 dB
最大输入失调电压：	4500 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	2 mA
供电电压上限：	12.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

AD8205YRZ 数据手册

AD8205

Data Sheet

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

500

400

300

200

100

–100

TYP. V

OSI

(SOIC)

–200

–300

–400

–500

–40

–20

100

120

140

100

10k

100k

FREQUENCY (Hz)

TEMPERATURE (°C)

Figure 4. Typical Offset Drift

Figure 7. Typical Small Signal Bandwidth (V_OUT= 200 mV p-p)

120

110

100

50mV/DIV

1V/DIV

40µs/DIV

100

10k

100k

10M

FREQUENCY (Hz)

Figure 5. CMR vs. Frequency

Figure 8. Rise/Fall Time

12000

10000

8000

100mV/DIV

6000

4000

2000

TYP. IN SOIC

2V/DIV

–2000

–4000

–6000

–8000

–10000

–12000

2µs/DIV

–40

–20

100

120

140

TEMPERATURE (°C)

Figure 6. Gain Drift

Figure 9. Differential Overload Recovery (Falling)

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