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Datasheet > 放大器电路 > 运算放大器> AD8014AR-REEL7
AD8014AR-REEL7 PDF预览

AD8014AR-REEL7

更新时间： 2024-02-14 03:33:09
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 1144K
描述
400 MHz Low Power High Performance Amplifier

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AD8014AR-REEL7 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.12放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：15 µA标称共模抑制比：57 dB
最大输入失调电压：6000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-6.3 V
标称负供电电压 (Vsup)：-5 V功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
座面最大高度：1.75 mm标称压摆率：4600 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：6.3 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

AD8014AR-REEL7 数据手册

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AD8014  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1  
plastic. This is approximately +150°C. Even temporarily ex-  
ceeding this limit may cause a shift in parametric performance  
due to a change in the stresses exerted on the die by the pack-  
age. Exceeding a junction temperature of +175°C may result in  
device failure.  
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12.6 V  
Internal Power Dissipation2  
Small Outline Package (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.75 W  
SOT-23-5 Package (RT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5 W  
Input Voltage Common Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±VS  
Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±2.5 V  
Output Short Circuit Duration  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Observe Power Derating Curves  
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C  
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . –40°C to +85°C  
Lead Temperature (Soldering 10 sec) . . . . . . . . . . . . .+300°C  
ESD (Human Body Model) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +1500 V  
The output stage of the AD8014 is designed for large load cur-  
rent capability. As a result, shorting the output to ground or to  
power supply sources may result in a very large power dissipa-  
tion. To ensure proper operation it is necessary to observe the  
maximum power derating tables.  
Table I. Maximum Power Dissipation vs. Temperature  
Ambient Temp  
؇C  
Power Watts  
SOT-23-5  
Power Watts  
SOIC  
NOTES  
1 Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-  
nent damage to the device. This is a stress rating only, functional operation of the  
device at these or any other conditions above listed in the operational section of this  
specification is not implied. Exposure to Absolute Maximum Ratings for any  
extended periods may affect device reliability.  
–40  
–20  
0
+20  
+40  
+60  
+80  
+100  
0.79  
0.71  
0.63  
0.54  
0.46  
0.38  
0.29  
0.21  
1.19  
1.06  
0.94  
0.81  
0.69  
0.56  
0.44  
0.31  
2 Specification is for device in free air at 25°C.  
8-Lead SOIC Package θJA = 155°C/W.  
5-Lead SOT-23 Package θJA = 240°C/W.  
MAXIMUM POWER DISSIPATION  
The maximum power that can be safely dissipated by the AD8014  
is limited by the associated rise in junction temperature. The  
maximum safe junction temperature for plastic encapsulated  
devices is determined by the glass transition temperature of the  
CAUTION  
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily  
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection.  
Although the AD8014 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may  
occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD  
precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.  
WARNING!  
ESD SENSITIVE DEVICE  
–4–  
Rev. C  
1234567...11

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