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AD7874BN

更新时间： 2024-02-29 03:22:12
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 转换器模数转换器光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
16页 417K
描述
LC2MOS 4-Channel, 12-Bit Simultaneous Sampling Data Acquisition System

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AD7874BN 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-05-01 14:56:21.354是否无铅：含铅
是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP28,.6
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：1.54Is Samacsys：N
最大模拟输入电压：15 V最小模拟输入电压：10 V
最长转换时间：35 µs转换器类型：ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION
JESD-30 代码：R-GDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：37.84 mm最大线性误差 (EL)：0.024%
标称负供电电压：-5 V模拟输入通道数量：4
位数：12功能数量：1
端子数量：28最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C输出位码：2'S COMPLEMENT BINARY
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
电源：+-5 V认证状态：Not Qualified
采样速率：0.029 MHz采样并保持/跟踪并保持：TRACK
筛选级别：MIL-STD-883 Class B座面最大高度：5.59 mm
子类别：Analog to Digital Converters最大压摆率：18 mA
标称供电电压：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE宽度：13.2 mm
Base Number Matches：1

AD7874BN 数据手册

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(V = +5 V, V = –5 V, AGND = DGND = 0 V, REF IN = +3 V, fCLK = 2.5 MHz  
DD  
SS  
external. All specifications TMIN to TMAX unless otherwise noted.)  
AD7874–SPECIFICATIONS  
P aram eter  
A Version B Version S Version Units  
Test Conditions/Com m ents  
SAMPLE-AND-HOLD  
Acquisition T ime2 to 0.01%  
Droop Rate2, 3  
2
1
500  
0
2
1
500  
0
2
2
500  
0
µs max  
mV/ms max  
kHz typ  
ns min  
–3 dB Small Signal Bandwidth3  
Aperture Delay2  
VIN = 500 mV p-p  
40  
200  
4
40  
200  
4
40  
200  
4
ns max  
ps typ  
ns max  
Aperture Jitter2, 3  
Aperture Delay Matching2  
SAMPLE-AND-HOLD AND ADC  
DYNAMIC PERFORMANCE  
Signal-to-Noise Ratio  
T otal Harmonic Distortion  
Peak Harmonic or Spurious Noise  
Intermodulation Distortion  
2nd Order T erms  
70  
–78  
–78  
71  
–80  
–80  
70  
–78  
–78  
dB min  
dB max  
dB max  
fIN = 10 kHz Sine Wave, fSAMPLE = 29 kHz  
fIN = 10 kHz Sine Wave, fSAMPLE = 29 kHz  
fIN = 10 kHz Sine Wave, fSAMPLE = 29 kHz  
fa = 9 kHz, fb = 9.5 kHz, fSAMPLE = 29 kHz  
–80  
–80  
–80  
–80  
–80  
–80  
–80  
–80  
–80  
dB max  
dB max  
dB max  
3rd Order T erms  
Channel-to-Channel Isolation2  
DC ACCURACY  
Resolution  
Relative Accuracy  
12  
±1  
±1  
±5  
±5  
5
12  
±1/2  
±1  
±5  
±5  
5
12  
±1  
±1  
±5  
±5  
5
Bits  
LSB max  
LSB max  
LSB max  
LSB max  
LSB max  
LSB max  
LSB max  
Differential Nonlinearity  
Positive Full-Scale Error4  
Negative Full-Scale Error4  
Full-Scale Error Match  
Bipolar Zero Error  
No Missing Codes Guaranteed  
Any Channel  
Any Channel  
Between Channels  
Any Channel  
Between Channels  
±5  
4
±5  
4
±5  
4
Bipolar Zero Error Match  
ANALOG INPUT S  
Input Voltage Range  
Input Current  
±10  
±600  
±10  
±600  
±10  
±600  
Volts  
µA max  
REFERENCE OUT PUT S  
REF OUT  
3
3
3
V nom  
REF OUT Error @ +25°C  
T MIN to T MAX  
±0.33  
±1  
±0.33  
±1  
±0.33  
±1  
% max  
% max  
REF OUT T emperature Coefficient  
Reference Load Change  
±35  
±1  
±35  
±1  
±35  
±2  
ppm/°C typ  
mV max  
Reference Load Current Change (0–500 µA)  
Reference Load Should Not Be Changed During Conversion  
REFERENCE INPUT  
Input Voltage Range  
Input Current  
2.85/3.15 2.85/3.15 2.85/3.15 V min/V max 3 V ± 5%  
±1  
±1  
±1  
µA max  
Input Capacitance3  
10  
10  
10  
pF max  
LOGIC INPUT S  
Input High Voltage, VINH  
Input Low Voltage, VINL  
Input Current, IIN  
2.4  
0.8  
±10  
10  
2.4  
0.8  
±10  
10  
2.4  
0.8  
±10  
10  
V min  
VDD = 5 V ± 5%  
VDD = 5 V ± 5%  
VIN = 0 V to VDD  
V max  
µA max  
pF max  
3
Input Capacitance, CIN  
LOGIC OUT PUT S  
Output High Voltage, VOH  
Output Low Voltage, VOL  
DB0–DB11  
4.0  
0.4  
4.0  
0.4  
4.0  
0.4  
V min  
V max  
VDD = 5 V ± 5%; ISOURCE = 40 µA  
VDD = 5 V ± 5%; ISINK = 1–6 mA  
Floating-State Leakage Current  
±10  
±10  
±10  
µA max  
VIN = 0 V to VDD  
Floating-State Output Capacitance 10  
Output Coding  
10  
10  
pF max  
2s COMPLEMENT  
POWER REQUIREMENT S  
VDD  
VSS  
+5  
–5  
+5  
–5  
+5  
–5  
V nom  
V nom  
±5% for Specified Performance  
±5% for Specified Performance  
IDD  
ISS  
18  
12  
150  
18  
12  
150  
18  
12  
150  
mA max  
mA max  
mW max  
CS = RD = CONVST = +5 V; T ypically 12 mA  
CS = RD = CONVST = +5 V; T ypically 8 mA  
CS = RD = CONVST = +5 V; T ypically 100 mW  
Power Dissipation  
NOT ES  
1T emperature ranges are as follows: A, B Versions: –40°C to +85°C; S Version: –55°C to +125°C.  
2See T erminology.  
3Sample tested @ +25°C to ensure compliance.  
4Measured with respect to the REF IN voltage and includes bipolar offset error.  
5For capacitive loads greater than 50 pF a series resistor is required.  
Specifications subject to change without notice.  
–2–  
REV. C  
1234567...16

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