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Datasheet > 传感器/换能器 > 温度传感器> AD7818ARZ-REEL7
AD7818ARZ-REEL7 PDF预览

AD7818ARZ-REEL7

更新时间： 2024-02-18 06:12:42
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 传感器换能器温度传感器输出元件
页数 文件大小 规格书
20页 1587K
描述
Dual, Low Power CMOS, Analog Front End with DSP Microcomputer

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AD7818ARZ-REEL7 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：1.97Is Samacsys：N
最大精度（摄氏度）：2 Cel主体宽度：3.9 mm
主体高度：1.55 mm主体长度或直径：4.9 mm
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
位数：10端子数量：8
最大工作电流：2 mA最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出接口类型：3-WIRE INTERFACE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SOP8,.25
封装形状/形式：RECTANGULAR电源：3/5 V
传感器/换能器类型：TEMPERATURE SENSOR,SWITCH/DIGITAL OUTPUT,SERIAL子类别：Other Sensors/Transducers
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
端子面层：Matte Tin (Sn)端接类型：SOLDER
Base Number Matches：1

AD7818ARZ-REEL7 数据手册

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Data Sheet  
AD7817/AD7818  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise noted.  
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings  
may cause permanent damage to the device. This is a stress  
rating only; functional operation of the device at these or any  
other conditions above those indicated in the operational  
section of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect  
device reliability.  
Table 3.  
Parameter  
Rating  
VDD to AGND  
VDD to DGND  
−0.3 V to +7 V  
−0.3 V to +7 V  
Analog Input Voltage to AGND  
VIN1 to VIN4  
−0.3 V to VDD + 0.3 V  
−0.3 V to VDD + 0.3V  
–0.3 V to VDD + 0.3 V  
–0.3 V to VDD + 0.3 V  
−65°C to +150°C  
150°C  
Reference Input Voltage to AGND1  
Digital Input Voltage to DGND  
Digital Output Voltage to DGND  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
ESD CAUTION  
16-Lead TSSOP, Power Dissipation  
θJA Thermal Impedance  
Lead Temperature, Soldering  
Vapor Phase (60 sec)  
450 mW  
120°C/W  
260°C  
215°C  
Infrared (15 sec)  
220°C  
16-Lead SOIC Package, Power Dissipation  
θJA Thermal Impedance  
Lead Temperature, Soldering  
Vapor Phase (60 sec)  
450 mW  
100°C/W  
215°C  
Infrared (15 sec)  
220°C  
8-Lead SOIC Package, Power Dissipation  
θJA Thermal Impedance  
Lead Temperature, Soldering  
Vapor Phase (60 sec)  
450 mW  
157°C/W  
215°C  
Infrared (15 sec)  
220°C  
8-Lead MSOP Package, Power Dissipation  
θJA Thermal Impedance  
Lead Temperature, Soldering  
Vapor Phase (60 sec)  
450 mW  
206°C/W  
215°C  
220°C  
Infrared (15 sec)  
1 If the reference input voltage is likely to exceed VDD by more than 0.3 V (that  
is, during power-up) and the reference is capable of supplying 30 mA or more, it  
is recommended to use a clamping diode between the REFIN pin and VDD pin.  
Connect the diode as shown in this figure.  
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