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AD674BARZ PDF预览

AD674BARZ

更新时间： 2024-01-04 01:48:26
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 光电二极管转换器
页数 文件大小 规格书
12页 206K
描述
Complete 12-Bit A/D Converters

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AD674BARZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.61
最大模拟输入电压：10 V最小模拟输入电压：-10 V
最长转换时间：15 µs转换器类型：ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e3
长度：17.9 mm最大线性误差 (EL)：0.0244%
湿度敏感等级：3标称负供电电压：-12 V
模拟输入通道数量：1位数：12
功能数量：1端子数量：28
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出位码：BINARY输出格式：PARALLEL, WORD
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm标称供电电压：12 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

AD674BARZ 数据手册

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AD674B/AD774B  
TIMING—STAND ALONE MODE (Figures 4a and 4b)  
tHRL  
J, K, A, B Grades  
Symbol Min Typ Max Min Typ Max Unit  
T Grade  
R/C  
Parameter  
tDS  
Data Access Time  
Low R/C Pulsewidth  
STS Delay from R/C  
Data Valid After R/C Low tHDR  
STS Delay After Data Valid tHS  
tDDR  
tHRL  
tDS  
150  
200  
150 ns  
ns  
225 ns  
ns  
50  
50  
25  
STS  
25  
30  
tC  
200 600  
30 200 600 ns  
tHS  
High R/C Pulsewidth  
tHRH  
150  
150 ns  
tHDR  
HIGH–Z  
DATA  
VALID  
Specifications subject to change without notice.  
DB11–DB0  
DATA VALID  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*  
VCC to Digital Common . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 to +16.5 V  
Flgure 4a. Standalone Mode Timing Low Pulse R/C  
VEE to Digital Common . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 to –16.5 V  
V
LOGIC to Digital Common . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 to +7 V  
Analog Common to Digital Common . . . . . . . . . . . . . . . 1 V  
R/C  
Digital Inputs to Digital Common . . . –0.5 V to VLOGIC +0.5 V  
Analog Inputs to Analog Common . . . . . . . . . . . .  
VEE to VCC  
tHRH  
tDS  
20 VIN to Analog Common . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 V  
REF OUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . Indefinite Short to Common  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Momentary Short to VCC  
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175°C  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 825 mW  
Lead Temperature, Soldering (10 sec) . . . . . . . . . . . . . 300°C  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C  
STS  
tC  
tDDR  
tHDR  
HIGH–Z  
HIGH–Z  
DATA  
VALID  
DB11–DB0  
tHL  
*Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-  
nent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of  
the device at these or any other conditions above those indicated in the operational  
section of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating  
conditions for extended periods may affect device reliability.  
Figure 4b. Standalone Mode Timing High Pulse for R/C  
ORDERING GUIDE  
Conversion  
Time (max) (TMIN to TMAX  
INL  
Package  
Description  
Package  
Option2  
Modell  
Temperature  
)
AD674BJN  
AD674BKN  
AD674BAR  
AD674BBR  
AD674BAD  
AD674BBD  
AD674BTD  
AD774BJN  
AD774BKN  
AD774BAR  
AD774BBR  
AD774BAD  
AD774BBD  
AD774BTD  
0°C to 70°C  
15 µs  
15 µs  
15 µs  
15 µs  
15 µs  
15 µs  
15 µs  
8 µs  
1 LSB  
1/2 LSB  
1 LSB  
1/2 LSB  
1 LSB  
1/2 LSB  
1 LSB  
1 LSB  
1/2 LSB  
1 LSB  
1/2 LSB  
Plastic DIP  
Plastic DIP  
N-28  
N-28  
R-28  
R-28  
D-28  
D-28  
D-28  
N-28  
N-28  
R-28  
R-28  
D-28  
D-28  
D-28  
0°C to 70°C  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
–55°C to +125°C  
0°C to 70°C  
Plastic SOIC  
Plastic SOIC  
Ceramic DIP  
Ceramic DIP  
Ceramic DIP  
Plastic DIP  
0°C to 70°C  
8 µs  
Plastic DIP  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
–55°C to +125°C  
8 µs  
Plastic SOIC  
Plastic SOIC  
Ceramic DIP  
Ceramic DIP  
Ceramic DIP  
8 µs  
8 µs  
1 LSB  
1/2 LSB  
1 LSB  
8 µs  
8 µs  
NOTES  
1For details on grade and package offerings screened in accordance with MIL-STD-883, refer to the Analog Devices Military  
Products Databook or the current AD674B/ AD774B/883B data sheet.  
2N = Plastic DIP; D = Hermetic DIP; R = Plastic SOIC.  
CAUTION  
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily  
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although  
the AD674B/AD774B features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur  
on devices subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are  
recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.  
WARNING!  
ESD SENSITIVE DEVICE  
–4–  
REV. C  
1234567...12

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