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AD5270BRMZ100-U1 PDF预览

AD5270BRMZ100-U1

更新时间： 2024-02-22 06:51:35
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 光电二极管转换器
页数 文件大小 规格书
17页 245K
描述
IC,DIGITAL POTENTIOMETER,TSSOP,10PIN,PLASTIC

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AD5270BRMZ100-U1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP10,.19,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84转换器类型：DIGITAL POTENTIOMETER
JESD-30 代码：R-PDSO-G10端子数量：10
最高工作温度：105 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP10,.19,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH电源：+-2.5,3/5 V
认证状态：Not Qualified子类别：Digital Potentiometers
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL

AD5270BRMZ100-U1 数据手册

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Preliminary Technical Data  
AD5270/AD5271  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – 20KΩ  
VDD = 2.7V to 5.5V, VSS = 0V; VDD = 2.5V to 2.75V, VSS = -2.5V to -2.75V; −40°C < TA < +105°C, unless otherwise noted.  
Table 2.  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ1  
Max  
Unit  
DC CHARACTERISTICS— RHEOSTAT MODE  
Resolution  
Bits  
AD5270  
AD5271  
Resistor Integral Nonlinearity2  
10  
8
AD5270  
VDD = 4.5V to 5.5V  
VDD = 3.0V to 4.4V  
VDD = 2.7V to 3.0V  
−1  
−1.5  
+1  
+2  
LSB  
LSB  
LSB  
1.75  
AD5271  
−1  
−1  
−1  
+1  
+1  
+1  
Resistor Differential Nonlinearity2  
Nominal Resistor Tolerance3  
Resistance Temperature Coefficient  
Wiper Resistance  
LSB  
%
ppm/°C  
Ω
0.5  
35  
35  
70  
RESISTOR TERMINALS  
Terminal Voltage Range4  
Capacitance5 A  
VSS  
2.0  
-1  
VDD  
V
pF  
f = 1 MHz, measured to GND,  
Code = half-scale  
f = 1 MHz, measured to GND,  
Code = half-scale  
165  
60  
Capacitance5 W  
pF  
Common-Mode Leakage Current5  
DIGITAL INPUTS  
VINH, Input Logic High  
VINL, Input Logic Low  
VA = VW  
4
nA  
V
V
μA  
pF  
0.8  
IIN, Input Current  
1
5
CIN,Input Capacitance5  
DIGITAL OUTPUTS(OPEN DRAIN)  
VOL, Output Low Voltage  
ISINK = 3mA  
ISINK = 6mA  
0.4  
0.6  
1
V
V
μA  
pF  
Three state Leakage Current  
Three state Output Capacitance5  
POWER SUPPLIES  
2
Single-Supply Power Range  
Dual-Supply Power Range  
IDD, Positive Supply Current  
ISS, Negative Supply Current  
IDD_OTP_STORE, OTP Store Current5,6  
ISS_OTP_STORE, OTP Store Current5,6  
IDD_OTP_READ, OTP Read Current5,7  
ISS_OTP_READ, OTP Read Current5,7  
Power Dissipation8  
VSS = 0 V  
2.7  
2.5  
5.5  
2.75  
1
-1  
4
V
V
μA  
μA  
mA  
mA  
μA  
μA  
mW  
dB  
-4  
500  
-500  
16.5  
-50  
VIH = VDD or VIL = GND  
∆VDD/∆VSS  
Power Supply Rejection Ratio5  
DYNAMIC CHARACTERISTICS5, 9  
Bandwidth  
=
5 V 10%  
-80  
50  
−3 dB,  
R
AW = 20 kΩ  
kHz  
dB  
Total Harmonic Distortion  
Resistor Noise Density  
VA = 1 V rms, f = 1 kHz  
RAW = 20 kΩ  
RWB = 5 kΩ, TA = 25°C,  
-70  
9.2  
Hz  
nV/√  
Rev. PrA | Page 5 of 17  
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