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AD5246BKS100-R2

更新时间： 2024-02-20 20:10:51
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 光电二极管转换器电阻器
页数 文件大小 规格书
17页 1435K
描述
100K DIGITAL POTENTIOMETER, 2-WIRE SERIAL CONTROL INTERFACE, 128 POSITIONS, PDSO6, 2 X 2.10 MM, MO-203AB, SC-70, 6 PIN

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AD5246BKS100-R2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP,针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.36
其他特性：IT CAN ALSO OPERATE FROM A 5V NOMINAL SUPPLY标称带宽：0.04 kHz
控制接口：2-WIRE SERIAL转换器类型：DIGITAL POTENTIOMETER
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
长度：2 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1位置数：128
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：COMMERCIAL电阻定律：LINEAR
最大电阻容差：20%最大电阻器端电压：3 V
最小电阻器端电压：座面最大高度：1.1 mm
标称供电电压：3 V表面贴装：YES
标称温度系数：45 ppm/ °C温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30标称总电阻：100000 Ω
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

AD5246BKS100-R2 数据手册

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AD5246  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—10 KΩ, 50 KΩ, 100 KΩ VERSIONS  
VDD = 5 V 10ꢀ or 3 V 10ꢀ% VA = VDD% –40°C < TA < +125°C, unless otherwise noted.  
Table 2.  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min Typ1  
Max  
Unit  
DC CHARACTERISTICS, RHEOSTAT MODE  
Resistor Differential Nonlinearity2  
Resistor Integral Nonlinearity2  
Nominal Resistor Tolerance3  
Resistance Temperature Coefficient  
RWB  
R-DNL  
R-INL  
∆RAB  
RWB, VA = no connect  
RWB, VA = no connect  
TA = 25°C  
–1  
–2  
–2±  
±±.1  
±±.25  
+1  
+2  
+2±  
LSB  
LSB  
%
ppm/°C  
Ω
(∆RAB/RAB)/∆T Wiper = no connect  
RWB  
45  
ꢀ5  
15±  
Code=±x±±, VDD = 5 V  
Code=±x±±, VDD = 2.ꢀ V  
15±  
4±±  
Ω
RESISTOR TERMINALS  
Voltage Range4  
VB, W  
CB  
CW  
ICM  
GND  
VDD  
V
Capacitance5 B  
f = 1 MHz, measured to GND, code = ±x4±  
f = 1 MHz, measured to GND, code = ±x4±  
45  
6±  
1
pF  
pF  
nA  
Capacitance5 W  
Common-Mode Leakage  
DIGITAL INPUTS AND OUTPUTS  
Input Logic High  
Input Logic Low  
Input Logic High  
Input Logic Low  
Input Current  
Input Capacitance5  
VIH  
VIL  
VIH  
VIL  
IIL  
VDD = 5 V  
VDD = 5 V  
VDD = 3 V  
VDD = 3 V  
2.4  
2.1  
V
V
V
V
μA  
pF  
±.8  
±.6  
±1  
VIN = ± V or 5 V  
CIL  
5
POWER SUPPLIES  
Power Supply Range  
Supply Current  
Power Dissipation6  
Power Supply Sensitivity  
DYNAMIC CHARACTERISTICS5, ꢀ  
Bandwidth –3 dB  
Total Harmonic Distortion  
VW Settling Time (1± kΩ/5± kΩ/1±± kΩ)  
Resistor Noise Voltage Density  
VDD RANGE  
IDD  
PDISS  
2.ꢀ  
5.5  
8
4±  
V
μA  
μW  
VIH = 5 V or VIL = ± V  
VIH = 5 V or VIL = ± V, VDD = 5 V  
VDD = +5 V ± 1±%, code = midscale  
3
PSSR  
±±.±1  
±±.±2 %/%  
BW  
THDW  
tS  
RAB = 1± kΩ/5± kΩ/1±± kΩ, code = ±x4±  
VA = 1 V rms, f = 1 kHz, RAB = 1± kΩ  
VA = 5 V ±1 LSB error band  
6±±/1±±/4±  
±.±5  
2
kHz  
%
μs  
eN_WB  
RWB = 5 kΩ, RS = ±  
9
nV/√Hz  
1 Typical specifications represent average readings at 25°C and VDD = 5 V.  
2 Resistor position nonlinearity error R-INL is the deviation from an ideal value measured between the maximum resistance and the minimum resistance wiper  
positions. R-DNL measures the relative step change from ideal between successive tap positions. Parts are guaranteed monotonic.  
3 Code = ±xꢀF.  
4 Resistor Terminal A and Resistor Terminal W have no limitations on polarity with respect to each other.  
5 Guaranteed by design; not subject to production test.  
6 PDISS is calculated from (IDD × VDD). CMOS logic level inputs result in minimum power dissipation.  
ꢀ All dynamic characteristics use VDD = 5 V.  
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