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ACST6-7ST

更新时间: 2024-01-27 02:47:08
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
9页 120K
描述
OVER VOLTAGE PROTECTED AC POWER SWITCH

ACST6-7ST 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.7
外壳连接:MAIN TERMINAL 2配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:10 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:25 mA
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大漏电流:0.5 mA
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:6 A
断态重复峰值电压:700 V子类别:TRIACs
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SNUBBERLESS TRIAC
Base Number Matches:1

ACST6-7ST 数据手册

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ACST6-7S  
Fig. 6: Non repetitive surge peak on-state current  
for a sinusoidal pulse with width tp<10ms, and  
corresponding value of I2t.  
Fig. 7: Relative variation of gate trigger current,  
holding current and latching current versus  
junction temperature (typical values).  
IGT,IH,IL[Tj] / IGT,IH,IL [Tj=25°C]  
ITSM (A), I²t (A²s)  
3.0  
1000  
Tj initial=25°C  
2.5  
dI/dt limitation:  
100A/µs  
ITSM  
2.0  
IGT QIII  
100  
1.5  
I²t  
IGT QI, QII, IH & IL  
1.0  
10  
0.5  
Tj(°C)  
tp (ms)  
0.0  
1
-40 -20  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140  
0.01  
0.10  
1.00  
10.00  
Fig. 9: Relative variation of critical rate of decrease  
of main current versus junction teperature.  
Fig. 8: Relative variation of critical rate of decrease  
of main current versus reapplied (dV/dt)c (typical  
values).  
(dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj=125°C]  
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c  
6
4.0  
Tj=125°C  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
5
4
3
2
1
0.5  
0.0  
(dV/dt)c (V/µs)  
10.0  
Tj (°C)  
0
0.1  
1.0  
100.0  
0
25  
50  
75  
100  
125  
Fig. 10: Relative variation of dV/dt immunity  
versus junction temperature for different values of  
gate to com resistance (gate open is the reference  
value).  
Fig. 11: Thermal resistance junction to ambient  
versus copper surface under tab (printed circuit  
board FR4, copper thickness: 35µm).  
Rth(j-a) (°C/W)  
dV/dt [Tj] / dV/dt [Tj=125°C]  
70  
4.0  
PAK  
Rgk = 470W  
3.5  
60  
50  
40  
30  
20  
Rgk < 220W  
3.0  
2.5  
Rgk = 1kW  
2.0  
1.5  
Gate open  
1.0  
0.5  
0.0  
10  
Tj (°C)  
S(cm²)  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
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