AC03EGMR-YB

更新时间： 2024-01-24 00:33:09

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日电电子 - NEC		触发装置三端双向交流开关局域网
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6页	180K
描述
TRIAC, 500V V(DRM), 3A I(T)RMS, PLASTIC PACKAGE-3

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技术参数
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AC03EGMR-YB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	3 A
断态重复峰值电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

AC03EGMR-YB 数据手册

AC03DGM, AC03FGM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, RGK = 1 kΩ)

Parameter

Symbol

I^DRM

Conditions

T^j= 25°C

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

µA

Remarks

−

Repeat peak off-current

V^DM= V^DRM

T^j= 125°C

Refer to

Figure 1.

−

On-state voltage

V^TM

I^TM= 5 A

1.8

−

Mode I

T²+, G+

T²−, G+

T²−, G−

T²+, G−

T²+, G+

T²−, G+

T²−, G−

−

III

V^DM= 12 V

Gate trigger

current

Refer to

Figure 4.

I^GT

R^L= 30 Ω

1.5

−

Mode I

V^DM= 12 V

Gate trigger

voltage

Refer to

Figure 4.

V^GT

R^L= 30 Ω

III

1.5

T²+, G−

T^j= 125°C, V^DM= V^DRM

−

Gate non-trigger voltage

Hold current

V^GD

I^H

0.2

−

V^DM= 24 V, I^TM= 5 A

V/µs

Critical rate of rise of off-

state voltage

T^j= 125°C, V^DM= V^DRM

−

dv/dt

100

T^j= 125°C

Commutating critical rate of

rise of off-state voltage

(di^T/dt)c = −1.6 A/ms

V^D= 400 V

−

V/µs

−

(dv/dt)c

−

°C/W

R^th(j−c)

R^th(j−a)

Junction-to-case AC

Junction-to-ambient AC

Refer to

Figure 13.

Thermal resistance*

* The thermal resistance at 50 Hz and 60 Hz sine wave current, which is shown on the following expression:

T^j(max)–T^C

Rth(j−c)

T^j(max):Maximum junction temperature

P^T(AV)

T^C

:Case temperature

P^T(AV):Average on-dissipation

Data Sheet D13536EJ3V0DS

123 4 5 6

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