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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 7.5 ns |
| 其他特性： | SEATED HT-CALCULATED | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 256KX36 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.5 mm | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| A63L83361E-8 | AMICC | 256K X 36 Bit Synchronous High Speed SRAM with Burst Counter and Flow-through Data Output |
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| A63L83361E-8F | AMICC | 256K X 36 Bit Synchronous High Speed SRAM with Burst Counter and Flow-through Data Output |
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| A63L8336E | AMICC | 256K X 36 Bit Synchronous High Speed SRAM with Burst Counter and Pipelined Data Output |
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| A63L8336E-2.6 | AMICC | 256K X 36 Bit Synchronous High Speed SRAM with Burst Counter and Pipelined Data Output |
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| A63L8336E-2.6F | AMICC | 256K X 36 Bit Synchronous High Speed SRAM with Burst Counter and Pipelined Data Output |
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| A63L8336E-2.8 | AMICC | 256K X 36 Bit Synchronous High Speed SRAM with Burst Counter and Pipelined Data Output |
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