Datasheet > 存储 > DRAM> A43L2616V-7

A43L2616V-7

更新时间： 2024-01-28 00:59:15

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联笙电子 - AMICC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
41页	1054K
描述
1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM

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A43L2616V-7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.48	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

A43L2616V-7 数据手册

A43L2616

Absolute Maximum Ratings*

*Comments

Voltage on any pin relative to VSS (Vin, Vout ) . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1.0V to +4.6V

Voltage on VDD supply relative to VSS (VDD, VDDQ )

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-1.0V to +4.6V

Storage Temperature (T^STG) . . . . . . . . . . -55°C to +150°C

Soldering Temperature X Time (T^SLODER) . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C X 10sec

Power Dissipation (P^D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1W

Short Circuit Current (Ios) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Permanent device damage may occur if “Absolute

Maximum Ratings” are exceeded.

Functional operation should be restricted to recommended

operating condition.

Exposure to higher than recommended voltage for extended

periods of time could affect device reliability.

Capacitance (TA=25°C, f=1MHz)

Parameter

Input Capacitance

Symbol

CI1

Condition

A0 to A11, BS0, BS1

Min

2.5

Typ

Max

3.8

Unit

CI2

CLK, CKE,

DQM

, WE ,

3.8

CS RAS CAS

Data Input/Output Capacitance

CI/O

DQ0 to DQ15

6.5

DC Electrical Characteristics

Recommend operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, TA = 0ºC to +70ºC )

Parameter

Supply Voltage

Symbol

Min

3.0

2.0

-0.3

2.4

Typ

Max

Unit

Note

VDD,VDDQ

3.3

3.6

Input High Voltage

VIH

VIL

VOH

VOL

IIL

3.0

VDD+0.3

Input Low Voltage

0.8

Note 1

IOH = -2mA

IOL = 2mA

Note 2

Output High Voltage

Output Low Voltage

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output Loading Condition

0.4

-5

µA

IOL

-5

Note 3

See Figure 1

Note: 1. VIL (min) = -1.5V AC (pulse width ≤ 5ns).

2. Any input 0V ≤ VIN ≤ VDD + 0.3V, all other pins are not under test = 0V

3. Dout is disabled, 0V ≤ Vout ≤ VDD

(September, 2004, Version 3.1)

AMIC Technology, Corp.

1 2 3 456 7 8...41

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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