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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TFBGA, BGA288,21X21,20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率： | 100 MHz | JESD-30 代码： | S-PBGA-B288 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 11 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | 可配置逻辑块数量： | 4608 |
| 等效关口数量： | 200000 | 输入次数： | 78 |
| 逻辑单元数量： | 4608 | 输出次数： | 78 |
| 端子数量： | 288 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4608 CLBS, 200000 GATES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA288,21X21,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5,1.8,2.5,3.3 V | 可编程逻辑类型： | FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.05 mm |
| 子类别： | Field Programmable Gate Arrays | 最大供电电压： | 1.575 V |
| 最小供电电压： | 1.425 V | 标称供电电压： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 11 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| A2F200M3F-1CSG484 | MICROSEMI | SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC) |
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| A2F200M3F-1CSH288 | MICROSEMI | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA288, |
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| A2F200M3F-1CSH288C | MICROSEMI | Field Programmable Gate Array |
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| A2F200M3F-1CSH288I | MICROSEMI | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA288, |
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| A2F200M3F-1CSH288Y | MICROSEMI | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 100MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA288, |
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| A2F200M3F-1CSH288YC | MICROSEMI | Field Programmable Gate Array |
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