5秒后页面跳转
A2F200M3E-FG484Y PDF预览

A2F200M3E-FG484Y

更新时间: 2024-01-05 05:38:33
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 现场可编程门阵列可编程逻辑
页数 文件大小 规格书
182页 9722K
描述
Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA484

A2F200M3E-FG484Y 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:BGA,Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.58
JESD-30 代码:S-PBGA-B484JESD-609代码:e0
长度:23 mm湿度敏感等级:3
可配置逻辑块数量:4608等效关口数量:200000
端子数量:484最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:4608 CLBS, 200000 GATES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度):225可编程逻辑类型:FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.44 mm
最大供电电压:1.575 V最小供电电压:1.425 V
标称供电电压:1.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:23 mm

A2F200M3E-FG484Y 数据手册

 浏览型号A2F200M3E-FG484Y的Datasheet PDF文件第176页浏览型号A2F200M3E-FG484Y的Datasheet PDF文件第177页浏览型号A2F200M3E-FG484Y的Datasheet PDF文件第178页浏览型号A2F200M3E-FG484Y的Datasheet PDF文件第179页浏览型号A2F200M3E-FG484Y的Datasheet PDF文件第180页浏览型号A2F200M3E-FG484Y的Datasheet PDF文件第181页 

与A2F200M3E-FG484Y相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
A2F200M3E-FG484YC MICROSEMI FPGA

获取价格

A2F200M3E-FG484YI MICROSEMI Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA484, 1 MM PITCH, FBGA-48

获取价格

A2F200M3E-FG484YI ACTEL Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, 80MHz, 4608-Cell, CMOS, PBGA484, 1

获取价格

A2F200M3E-FGG208 MICROSEMI SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

获取价格

A2F200M3E-FGG208Y MICROSEMI SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

获取价格

A2F200M3E-FGG256 MICROSEMI SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

获取价格