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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | BGA, | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | JESD-30 代码： | S-PBGA-B484 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 23 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | 可配置逻辑块数量： | 4608 |
| 等效关口数量： | 200000 | 端子数量： | 484 |
| 组织： | 4608 CLBS, 200000 GATES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 可编程逻辑类型： | FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.44 mm | 最大供电电压： | 1.575 V |
| 最小供电电压： | 1.425 V | 标称供电电压： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 23 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| A2F200M3A-1FGH256 | MICROSEMI | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, HALOGEN |
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| A2F200M3A-1FGH256 | ACTEL | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, HALOGEN |
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| A2F200M3A-1FGH256I | ACTEL | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, HALOGEN |
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| A2F200M3A-1FGH256Y | MICROSEMI | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, HALOGEN |
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| A2F200M3A-1FGH256Y | ACTEL | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, HALOGEN |
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| A2F200M3A-1FGH256YI | ACTEL | Field Programmable Gate Array, 4608 CLBs, 200000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, HALOGEN |
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