A2F060M3E-FGG256I

更新时间： 2024-02-10 18:28:13

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美高森美 - MICROSEMI		现场可编程门阵列可编程逻辑
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192页	11779K
描述
SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

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A2F060M3E-FGG256I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LBGA, BGA256,16X16,40	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.82
最大时钟频率：	80 MHz	JESD-30 代码：	S-PBGA-B256
JESD-609代码：	e1	长度：	17 mm
湿度敏感等级：	3	可配置逻辑块数量：	1536
等效关口数量：	60000	输入次数：	66
逻辑单元数量：	1536	输出次数：	66
端子数量：	256	组织：	1536 CLBS, 60000 GATES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA256,16X16,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	250
电源：	1.5,1.8,2.5,3.3 V	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.7 mm
子类别：	Field Programmable Gate Arrays	最大供电电压：	1.575 V
最小供电电压：	1.425 V	标称供电电压：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	17 mm
Base Number Matches：	1

SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)

SmartFusion cSoC System Architecture

Bank 0

Embedded FlashROM

(eFROM)

ISP AES Decryption

Charge Pumps

Embedded NVM

(eNVM)

Cortex-M3 Microcontroller Subsystem (MSS)

Embedded SRAM

(eSRAM)

SCB

Osc.

ADC and DAC ADC and DAC

SCB

Bank 3

MSS

CCC

PLL/CCC

FPGA

Analog

Note: Architecture for A2F200

Revision 10

1 2 3 456 7 8...192

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A2F060M3E-FGG256Y	MICROSEMI	SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)	获取价格
A2F060M3E-FGG256Y	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 1536 CLBs, 60000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, GREEN, F	获取价格
A2F060M3E-FGG256YC	MICROSEMI	FPGA	获取价格
A2F060M3E-FGG256YES	MICROSEMI	SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)	获取价格
A2F060M3E-FGG256YI	MICROSEMI	SmartFusion Customizable System-on-Chip (cSoC)	获取价格
A2F060M3E-FGG256YI	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 1536 CLBs, 60000 Gates, CMOS, PBGA256, 1 MM PITCH, GREEN, F	获取价格