BCW66

更新时间： 2024-01-30 05:21:23

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BCW66 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	6 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

BCW66 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BCW66

ISSUE 4 - MARCH 2001

PARTMARKING DETAILS –

BCW66F –

BCW66G –

BCW66H –

BCW66FR – 7P

BCW66GR – 5T

BCW66HR – 7M

COMPLEMENTARY TYPE – BCW68

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Collector Current(10ms)

Base Current

800

°C

I_CM

1000

100

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

TBA

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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