BCW60

更新时间： 2024-01-27 02:02:43

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描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS

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BCW60 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.13
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	2.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	130	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.55 V	Base Number Matches：	1

BCW60 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

SMALL SIGNAL TRANSISTORS

ISSUE 2 AUGUST 1995

BCW60

PARTMARKING DETAILS

BCW60A AA

BCW60B AB

BCW60C AC

BCW60D AD

BCW60AR CR

BCW60BR DR

BCW60CR AR

BCW60DR BR

COMPLEMENTARY TYPE

BCW61

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

200

Continuous Collector Current

Base Current

°C

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_TOT

tj:tstg

330

-55 to +150

FOUR TERMINAL NETWORK DATA (I =2mA, V =5V, f=1kHz)

h_FEGroup A

h_FEGroup B

h_FEGroup C

h_FEGroup D

Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.

h_11e

h_12e

h_21e

h_22e

1.6

2.7

1.5

200

4.5

2.5

3.6

6.0

3.2

4.5

8.5

4.5

7.5

kΩ

10^-4

260

330

520

100

µS

SWITCHING CIRCUIT

-VBB

VCC(+10V)

1µsec

+10V

tr < 5nsec

Zin ≥ 100kΩ

tr < 5nsec

50Ω

Oscilloscope

Mark/Space ratio < 0.01

Zs=50Ω

PAGE NO

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