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BCW60A

更新时间: 2024-01-15 21:04:39
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
NPN General Purpose Transistors

BCW60A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.13
其他特性:LOW NOISE基于收集器的最大容量:2.5 pF
集电极-发射极最大电压:32 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):130JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.55 VBase Number Matches:1

BCW60A 数据手册

 浏览型号BCW60A的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
NPN General Purpose Transistors  
BCW60A/B/C/D  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
Features  
+0.1  
-0.1  
3
NPN epitaxial silicon transistor.  
1
2
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
-0.1  
1.9  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
32  
Unit  
V
32  
V
5
V
Collector current  
100  
350  
150  
mA  
mW  
Collector power dissipation  
Storage temperature  
Pc  
Tstg  
1
www.kexin.com.cn  

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