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2N7002LLK-AE2-R

更新时间： 2024-01-22 05:00:16

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友顺 - UTC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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3页	161K
描述
60V, 115mA N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N7002LLK-AE2-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	7.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002LLK-AE2-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2N7002LL

Preliminary

Power MOSFET

60V, 115mA N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 2N7002LL uses advanced technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch or in

PWM applications.

FEATURES

SOT-23-3

(JEDEC TO-236)

* R_DS(ON)= 7.5Ω @V_GS= 10 V

* Low Reverse Transfer Capacitance ( C_RSS= typical 5 pF )

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

SYMBOL

3. Drain

2.Gate

1.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Tape Reel

Lead Free

Halogen Free

2N7002LLG-AE2-R

2N7002LLK-AE2-R

SOT-23-3

MARKING

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R502-284.d

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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