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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-67 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ349_07 | TOSHIBA | DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SJ349_09 | TOSHIBA | DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SJ349FT | TOSHIBA | DCâDC Converter, Relay Drive and Motor Driv |
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| 2SJ350 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ350 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ350-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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