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M366S1623DT0-C75

更新时间: 2024-02-17 13:20:10
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三星 - SAMSUNG 内存集成电路动态存储器PC时钟
页数 文件大小 规格书
10页 156K
描述
PC133 Unbuffered DIMM

M366S1623DT0-C75 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM168
针数:168Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.73Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096自我刷新:YES
最大待机电流:0.016 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.28 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

M366S1623DT0-C75 数据手册

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M366S1623DT0  
PC133 Unbuffered DIMM  
Revision History  
Revision 0.0 (June, 1999)  
• PC133 first published.  
Revision 0.1 (May, 2000)  
• Changed tOH parameter from 2.7ns to 3.0ns  
Revision 0.2 (July, 2000)  
• Added PC100@CL3 data on DC Characteristics, Operating AC Parameter, AC Characteristics.  
REV. 0.2 July, 2000  

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