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2SA1330

更新时间: 2024-02-03 01:08:01
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日电电子 - NEC 晶体开关放大器小信号双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
4页 193K
描述
HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

2SA1330 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, SC-59, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.65
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

2SA1330 数据手册

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