2N2432

更新时间： 2024-01-30 01:44:52

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
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2页	56K
描述
NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

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2N2432 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2N2432 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 313

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N2432

2N2432A

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Collector Voltage

Collector Current

Symbol 2N2432 2N2432A

Unit

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_ECO

I_C

Vdc

100

mAdc

(1)

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

300

600

P_T

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

-65 to +200

-65 to +175

⁰C

stg

Operating & Storage Junction Temp. Range

⁰C

T_J

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO- 18*

(TO-206AA)

Symbol

Max.

Unit

mW/ ⁰C

Thermal Resistance, Junction-to-Case

0.25

qJC

1) Derate linearly 2.0 mW/⁰C above T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 4.0 mW/⁰C above T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Emitter-Collector Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc, I_B= 0

2N2432

2N2432A

Both

Vdc

V_(BR)

ECO

I_E= 10 mAdc, I_B= 0

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

Vdc

2N2432

2N2432A

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CB= 25 Vdc

V_CB= 40 Vdc

2N2432

2N2432A

I_CES

hAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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